三星14奈米EUV DDR5 DRAM正式量產

（全球TMT2021年10月12日訊）三星宣佈已開始量產基於極紫外光（EUV）技術的14奈米（nm）DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM後，又將EUV層數增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優質、先進的DRAM工藝。

“透過開拓關鍵的圖案（key patterning）技術，三星活躍全球DRAM市場近三十年。”三星電子高階副總裁兼DRAM產品與技術主管Jooyoung Lee表示，“如今，三星正透過多層EUV技術，樹立了一座新的技術里程碑，實現了更加微型化的14奈米工藝，而這也是傳統氟化氬（ArF）工藝無法做到的。在此基礎上，三星將繼續提供極具差異化的記憶體解決方案，充分滿足5G、人工智慧和元宇宙等資料驅動的時代對更高效能和更大容量的需求。”

隨著DRAM工藝不斷縮小至10奈米範圍，EUV技術變得越來越重要，因為它能提升圖案准確性，從而獲得更高效能和更大產量。透過在14奈米DRAM中應用5個EUV層，三星實現了自身最高的單位容量，同時，整體晶圓生產率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14奈米工藝可幫助降低近20%的功耗。

根據最新DDR5標準，三星的14奈米DRAM將有助於釋放出之前產品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計劃擴充套件其14奈米DDR5產品組合，以支援資料中心、超級計算機和企業伺服器應用。另外，三星預計將其14奈米DRAM晶片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統快速增長的資料需求。