AO3400A-ASEMI中低壓N溝道MOS管AO3400A

ASEMI首芯發表於2024-11-23

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AO3400A-ASEMI中低壓N溝道MOSAO3400A

型號:AO3400A

品牌:ASEMI

封裝:SOT-23

批號:最新

最大漏源電流:5.8A

漏源擊穿電壓:30V

RDSONMax30mΩ

引腳數量:3

晶片個數:

溝道型別:N溝道MOS管、低壓MOS

漏電流:ua

特性:N溝道MOS管、場效電晶體

工作溫度:-55~150

備受歡迎的AO3400A MOS

ASEMI品牌AO3400A是採用工藝晶片,該晶片具有良好的穩定性及抗衝擊能力,能夠持續保證了AO3400A的最大漏源電流5.8A,漏源擊穿電壓30V.

•細節體現差距

AO3400A,ASEMI品牌,工藝晶片,工藝製造,該產品穩定性高,抗衝擊能力強。

AO3400A具體引數為:最大漏源電流:5.8A,漏源擊穿電壓:30V,反向恢復時間: ns,封裝:SOT-23

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