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AO3407-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3407
型號：AO3407
品牌：ASEMI
封裝：SOT-23
最大漏源電流：-4.1A
漏源擊穿電壓：-30V
批號：最新
RDS（ON）Max：65mΩ
引腳數量：3
溝道型別：P溝道MOS管
晶片尺寸：MIL
漏電流：
恢復時間：5ns
晶片材質：
封裝尺寸：如圖
特性：中低壓MOS管、P溝道MOS管
工作結溫：-55℃~150℃
AO3407場效電晶體
AO3407的電性引數：最大漏源電流-4.1A；漏源擊穿電壓-30V
特徵：
低固有電容。
出色的開關特性。
擴充套件安全操作區域。
無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-30V，Id=-4.1A
RDS（開）:65mΩ （最大值）@VG=-30V
