ASEMI的MOS管25N120在不同應用場景的表現

編輯 -Z

根據其應用方式，MOS 管 25N120 的主要作用是：

1 、 做 放大管；

2 、 做高速管；

3 、 做 電流鏡管；

4 、做開關 。

 

25N120 引數描述

型號： 25N120

封裝： TO-247

集電極- 發射極電壓（ VCES ）： 12 00V

集電極電流（I C ）：2 5 A

柵極- 發射極電壓（ VGES ）： ± 2 0V

功耗（PD ）： 310 W

G-E 漏電流（ IGES ）： ± 100n A

G-E 閾值電壓（ VGE(th) ）： 7.5 V

輸出電容（COSS ）： 180 pF

脈衝集電極電流（ I CM ）： 75 A

開啟延遲時間（td(on) ）： 60nS

關斷延遲時間（td(off) ）： 170 nS

 

MOS 管需要設定的大小和電壓主要有以下兩種：

1 、柵長 L ；

2 、 過驅動電壓Vgs-Vth

 

MOS 管 25N120 用作放大 管 時，比如運放的輸入管，目標是達到更高的增益，所以用作放大 管 的MOS 管的 L 要大一些， Vgs-Vth 要 小 一些。

 

當MOS 管 25N120 用作高速管時，如低噪聲放大器、壓控振盪器、混頻器等射頻電路，其目標是追求高速，其結論與放大管截然相反。為提高電路速度， MOS 管應取最小的工藝 L 和較大的 Vgs-Vth 。因為 L 越大， MOS 管的寄生電容就越大， 會 影響管子的高速效能。

 

MOS 管 25N120 用作電流鏡管時，其目標是實現電流的精確複製。因為電流複製是靜態訊號，不需要速度，所以 MOS 管的 L 要大一些，因為 MOS 管的 L 越大， MOS 管的厄利效應越小 ，電流 複製 就會 越準確。同時需要注意當前 電流鏡 對的Vds 是否相等 ， 一個工作在飽和區的MOS 管， Vds 相同， L 較大，可以很好的實現電流複製。

 

MOS 管 25N120 用作開關管時，漏源電壓 Vds 應 很小，MOST 工作線上性區。在這個區域， MOST 電晶體實際上是一個小電阻，提供線性伏安特性。