MOS管開關電路

MOS管開關電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。

一般情況下普遍用於高階驅動的MOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高階驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個系統裡，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都整合了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。（所以看手冊，具體分析）

MOS管是電壓驅動，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導通DS，柵極串多大電阻均能導通。但如果要求開關頻率較高時，柵對地或VCC可以看做是一個電容，對於一個電容來說，串的電阻越大，柵極達到導通電壓時間越長，MOS處於半導通狀態時間也越長，在半導通狀態內阻較大，發熱也會增大，極易損壞MOS，所以高頻時柵極柵極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。

MOS管開關電路的特點

MOS管種類和結構

  MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種型別，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

  至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

  對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS.原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS.下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載（如馬達），這個二極體很重要。可以在MOS管關斷時為感性負載的電動勢提供擊穿通路從而避免MOS管被擊穿損壞。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在積體電路晶片內部通常是沒有的。

MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高階驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用NMOS.

MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

 

MOS管驅動

跟雙極性電晶體相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

而在進行MOSFET的選擇時，因為MOSFET有兩大型別：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。這就是後面介紹電路圖中柵極所接電阻至地。如果柵極為懸空，器件將可能因意外的干擾導致導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS.

 

 

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道。MOSFET.在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連線到幹線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOSFET，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連線到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中採用P溝道MOSFET，這也是出於對電壓驅動的考慮。

 

         N溝道                                       P溝道

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈衝尖峰。該引數以IRM2502管DATASHEET為參考，引數如圖所示

在連續導通模式下，MOSFET處於穩態，此時電流連續通過器件。脈衝尖峰是指有大量電湧（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET並不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2&TImes;RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小;反之RDS（ON）就會越高。對系統設計人員來說，這就是取決於系統電壓而需要折中權衡的地方。對行動式設計來說，採用較低的電壓比較容易（較為普遍），而對於工業設計，可採用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電氣引數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。

第三步：確定熱要求

選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量資料;比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫。

IRLML2502的結溫和儲存溫度

器件的結溫（TJ）等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻&TImes;功率耗散］）。根據這個方程可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2&TImes;RDS（ON）。由於設計人員已確定將要通過器件的最大電流，因此可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。值得注意的是，在處理簡單熱模型時，設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環境的熱容量;即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。

通常，一個PMOS管，會有寄生的二極體存在，該二極體的作用是防止源漏端反接，對於PMOS而言，比起NMOS的優勢在於它的開啟電壓可以為0，而DS電壓之間電壓相差不大，而NMOS的導通條件要求VGS要大於閾值，這將導致控制電壓必然大於所需的電壓，會出現不必要的麻煩。選用PMOS作為控制開關，有下面兩種應用：

第一種應用，由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩定地拉低，確保PMOS的正常開啟，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態隱患。D9和D10的作用在於防止電壓的倒灌。D9可以省略。這裡要注意到實際上該電路的DS接反，這樣由附生二極體導通導致了開關管的功能不能達到，實際應用要注意。

來看這個電路，控制訊號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在於R110控制柵極電流不至於過大，R113控制柵極的常態，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制訊號的上拉，當MCU內部管腳並沒有上拉時，即輸出為開漏時，並不能驅動PMOS關閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。

另外，我們再來MOS管的開關特性

靜態特性

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態。

工作特性如下：

※ uGS《開啟電壓UT:MOS管工作在截止區，漏源電流iDS基本為0，輸出電壓uDS≈UDD，MOS管處於“斷開”狀態，其等效電路如下圖所示。

※ uGS》開啟電壓UT:MOS管工作在導通區，漏源電流iDS=UDD/（RD+rDS）。其中，rDS為MOS管導通時的漏源電阻。輸出電壓UDS=UDD·rDS/（RD+rDS），如果rDS《RD，則uDS≈0V，MOS管處於“接通”狀態，其等效電路如上圖（c）所示。

動態特性

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。下圖（a）和（b）分別給出了一個NMOS管組成的電路及其動態特性示意圖。

NMOS管動態特性示意圖

當輸入電壓ui由高變低，MOS管由導通狀態轉換為截止狀態時，電源UDD通過RD向雜散電容CL充電，充電時間常數τ1=RDCL.所以，輸出電壓uo要通過一定延時才由低電平變為高電平;當輸入電壓ui由低變高，MOS管由截止狀態轉換為導通狀態時，雜散電容CL上的電荷通過rDS進行放電，其放電時間常數τ2≈rDSCL.可見，輸出電壓Uo也要經過一定延時才能轉變成低電平。但因為rDS比RD小得多，所以，由截止到導通的轉換時間比由導通到截止的轉換時間要短。

由於MOS管導通時的漏源電阻rDS比晶體三極體的飽和電阻rCES要大得多，漏極外接電阻RD也比電晶體集電極電阻RC大，所以，MOS管的充、放電時間較長，使MOS管的開關速度比晶體三極體的開關速度低。不過，在CMOS電路中，由於充電電路和放電電路都是低阻電路，因此，其充、放電過程都比較快，從而使CMOS電路有較高的開關速度。（應用於CMOS電路的MOS管開關速度比較快）

 

 其他：

 

 

Vgs_th = Gate Threshold Voltage, 指的是當一個電壓施加於G-S時, D-S開始通道形成, Spec 上的最大與最小值, 只供參考, 你必須在看一下

"Vth Vs RDSon" 曲線, 知道通道完全形成時電壓, 所謂完全形成是規格上標示如50mR , 在到達50mR時的電壓, 驅動電壓只能高不能低.......

 

VGSmax = 指的是施加於G-S的電壓最高點

VGSop = 指的是建議操作電壓,

 

在你的驅動端若超過或有峰值, 你就必須用穩壓管進行鉗位, 超過MOSFET 會擊穿, 而雜訊問題, 通常是Layout 所引起的, 通常在MOSFET G腳有一個10K落地, 產生低阻, 再加上Ciss電容效應, 要讓MOSFET誤觸發機率不高, 至於Mosfet 關斷, 試看你的操作頻率, 通常驅動端

Low Active 不會超過1V, 而以你的Spec 最低電壓2V來看,低於2V就關斷, 不會有問題......

vishay半導體的NMOS管si2302的Id是2.1A，Is是0.6A。當這個管子用來做開關電路時，開關電流最大以Id為準還是Is ?

 

看你如何應用了，通常做開關應用是以Id為準

請注意 Is電流描述後面括號裡面有個“二極體導通”，特殊情況，比如用mos管做電源反接保護，以及電機等感性負載驅動反向電動勢存在時，需要考慮這個Is電流。