GlobalFoundries生產eMRAM解決方案

GlobalFoundries(格羅方德半導體有限公司)今年2月份宣佈已在其22FDX平臺上為物聯網和汽車應用交付了首個可投入生產的eMRAM。並表示其先進的eMRAM為低功耗，非易失性程式碼和資料儲存應用提供了一種經濟高效的解決方案。
 
GF表示已進入生產階段，並計劃與多個客戶合作，並計劃在2020年實現多個生產磁帶。GF的eMRAM旨在替代大容量嵌入式NOR快閃記憶體（eFLASH）。GF表示其eMRAM已透過了五項嚴格的實際焊錫迴流測試，並在-40°C至125°C的溫度範圍內顯示了100,000個迴圈的耐久性和10年的資料保留。FDXeMRAM解決方案支援AEC-Q100質量2級設計，並且正在開發中，以支援明年的AEC-Q100質量1級解決方案。

 
與當今廣泛使用的eFlash相比，eMRAM具有許多優勢，它不涉及電荷或電流，而是使用磁儲存元件，並依賴於讀取由薄勢壘分隔的兩個鐵磁膜的磁各向異性。該方法在寫入資料之前不需要擦除週期，這意味著更高的效能。此外可以使用現代工藝技術生產MRAM，並且具有很高的耐久性。
 
GF現在提供定製設計套件，其中包含經過嵌入式晶片驗證的 ，範圍從4到48兆位，並提供MRAM內建自測支援選項。GF正在其位於德國德累斯頓Fab1的300毫米生產線中支援eMRAM。GF的eMRAM技術已獲得 公司的許可。