SDU 模電 半導體二極體及其基本電路

站在物聯網風口上的豬發表於2020-12-16
  1. 基礎概念：半導體特性：光敏性，熱敏性，摻雜性； 本徵半導體：純淨的半導體：載流子太少，無用 載流子：空穴（正）和電子（負）
    P/N型：P型：多子是空穴
    N型：多子是電子 雜質半導體呈電中性 PN接面：P型和N型半導體整合在一塊矽片上，交界處形成PN接面。 濃度差：擴散運動 載流子在內電場作用下的定向運動：漂移運動
    單向導電性：正偏時導通，PN接面電阻很小，通過的正向電流較大，反偏時呈高阻性，雖然存在反向電流，但很小，處於截至狀態。
    伏安特性：在這裡插入圖片描述
    i：PN接面電流 IS：PN接面反向飽和電流 UT:電壓當量：26mv 反向擊穿：齊納擊穿：高摻雜，耗盡層較窄，把共價鍵價電子強行拉出來；
    雪崩擊穿：低摻雜，耗盡層較寬，把共價鍵價電子撞擊出來， 電容效應：勢壘電容、擴散電容，高頻等效電路； 圖解法：
    UD=VDD-IDR;
    IDQ=(VDD-UDQ)/R;
    rd=UT/IDQ;
    帶Q的是直流電路，基本上與Q無關；
    穩壓二極體：工作在PN接面反向擊穿區；加限流電阻；

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