一、緒論
Air700ECQ是一款基於移芯EC716E平臺設計的LTE Cat 1無線通訊模組。支援移動雙模FDD-LTE/TDD-LTE的4G遠距離無線傳輸技術。以極小封裝，極高價效比，滿足IoT行業的數傳應用需求。例如共享應用場景，定位器場景，DTU數傳場景等。
圖表 1：功能框圖
二、綜述
表格 1：模組型號列表
|
型號 |
Air700ECQ |
|
LTE-TDD |
B34/B38/B39/B40/B41 |
|
LTE-FDD |
B3/B8 |
|
IO 電平 |
1.8V |
|
模組尺寸 |
13.45mm*10.5mm*1.7mm(+-0.15mm) |
|
封裝 |
LGA |
|
備註 |
4G LTE 移動版 |
2.1 主要效能
表格 2：模組主要效能
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特徵 |
說明 |
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CPU |
|
|
Flash |
|
|
RAM |
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支援頻段 |
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|
發射功率 |
|
|
供電 |
|
|
LTE 特性 |
最大上行速率 4Mbps，最大下行速率 6Mbps
最大上行速率 2Mbps，最大下行速率 8Mbps |
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網路協議特性 |
|
|
USIM 卡介面 |
|
|
USB 介面
串列埠 |
|
|
MAIN_UART：
AUX_UART：
DBG_UART：
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I2C |
|
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SPI |
|
|
天線介面 |
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|
溫度範圍 |
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|
RoHS |
|
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物理特性 |
|
|
封裝 |
|
三、應用介面
模組採用LGA封裝，50個SMT焊盤管腳，以下章節將詳細闡述Air700ECQ各介面的功能
3.1 管腳描述
圖表 2：Air700ECQ 管腳排列圖（正檢視）
表格 3：管腳描述
電源
串列埠
|
USB 介面 |
|
||||
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
VBUS |
6 |
DI |
USB 插入喚醒 |
建議不超過 5.5V |
內部電阻分壓 |
|
USB_DP |
7 |
IO |
USB 資料差分訊號 |
|
90 歐姆差分主控控制 |
|
USB_DM |
8 |
IO |
USB 資料差分訊號 |
|
90 歐姆差分主控控制 |
|
USIM 介面 |
|
|
|
|
|
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
SIM_RST |
10 |
DO |
USIM 卡介面復位訊號 |
1.8V/3.3V |
|
|
SIM_CLK |
11 |
DO |
USIM 卡介面時鐘訊號 |
1.8V/3.3V |
|
|
SIM_DAT |
12 |
IO |
USIM 卡接資料訊號 |
1.8V/3.3V |
|
|
SIM_VDD |
13 |
PO |
USIM 卡接電源訊號 |
1.8V/3.3V |
|
|
SIM_DET |
48 |
DI |
USIM 卡插入檢測 |
1.8V |
|
模數轉換 ADC 介面
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
ADC0 |
34 |
AI |
模數轉換ADC 通道 0 |
量程 0~3.3V |
若超量程需要外部電阻分壓 |
|
ADC1 |
35 |
AI |
模數轉換ADC 通道 1 |
量程 0~3.3V |
若超量程需要外部電阻分壓 |
|
I2C 介面 |
|
|
|
|
|
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
I2C0_SDA |
33 |
OD |
I2C 介面資料訊號 |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
|
I2C0_SCL |
49 |
OD |
I2C 介面時鐘訊號 |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
|
I2C1_SDA |
38 |
OD |
I2C 介面資料訊號 |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
|
I2C1_SCL |
37 |
OD |
I2C 介面時鐘訊號 |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
天線介面
LED 指示燈介面
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
|
NET_STATUS |
27 |
0 |
網路狀態指示燈 |
DC 電平:LDO_AON |
不用則懸空 |
|
|
通用 GPIO |
|
|
|
|
|
|
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
|
GPIO1 |
30 |
IO |
通用GPIO |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
|
|
GPIO2 |
39 |
IO |
通用GPIO |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
|
|
GPIO3 |
40 |
IO |
通用GPIO |
DC 電平:VDD_EXT |
不用則懸空 |
|
|
AGPIO5 |
41 |
IO |
通用GPIO |
DC 電平:LDO_AON |
不用則懸空 |
|
|
其他 IO 口 |
|
|
|
|
|
|
|
管腳名 |
管腳號 |
IO |
描述 |
電氣特性 |
備註 |
|
|
AGPIOWU1 |
29 |
DI |
外部輸入中斷 |
DC 電平:LDO_AON |
Opencpu 二次開發用 |
|
|
WUKUP0 |
26 |
DI |
外部輸入中斷 |
DC 電平:LDO_AON |
Opencpu 二次開發用 |
|
*注:
- 二次開發 GPIO 複用功能詳見對應《_GPIO_table》
- LDOAON 為晶片內部部分 GPIO 供電電源，由此電源供電的 IO 口休眠狀態下能夠保持。
- 所有 GPIO 和 wakeuppad 都支援雙邊沿中斷；
可以複用為 wakeup 的 io，休眠以及喚醒狀態下都能使用；其餘 io 喚醒狀態下可用，休眠狀態下不能使用；
wakeup io 可以喚醒休眠，其餘 GPIO 都不可以。
表格 4：IO 引數定義
|
型別 |
描述 |
|
IO |
Input/Output |
|
DI |
Digital Input |
|
DO |
Digital Output |
|
PI |
Power Input |
|
PO |
Power Output |
|
AI |
Analog Input |
|
AO |
Analog Output |
|
OD |
Open Drain Output |
3.2 工作模式
下表簡要的敘述了接下來幾章提到的各種工作模式。
表格 5：工作模式
|
模式 |
|
描述 |
|
正常工作 |
ACTIVE |
連線正常工作。有資料或者語音或者簡訊互動。此模式下，模組功耗取決於環境訊號的強弱，動態DTX控制以及射頻工作頻率。 |
|
IDLE
SLEEP1
SLEEP2
HIBERNATE
OFF |
MCU 核心時鐘關閉，系統中斷隨時可以喚醒模組。模組註冊上網路，沒有資料，語音和簡訊互動。進入和退出IDLE模式均由系統自動管理 休眠模式下。外設均會被關閉，大部分IO處於掉電狀態，僅有AGPIO能夠保持電平，功耗極大降低。透過AT+CSCLK=1或者AT+CSCLK=2進入此模式 在休眠模式基礎上，關閉SRAM, 僅保持64KB SRAM（ASMB）區域儲存必要資訊。功耗進一步降低， 在此模式下DeepSleep Timer仍然然可以執行。透過 WAKUP管腳可以喚醒，但是軟體需要重新初始化。AT版本不支援此休眠模式 在休眠模式基礎上，進一步關閉64KB SRAM（ASMB）區域, 功耗最低。在此模式下DeepSleep Timer仍然然可以執行。透過WAKUP管腳可以喚醒，但是軟體需要重新初始化。AT版本不支援此休眠模式 此模式下PMU停止給基帶和射頻供電，軟體停止工作，串列埠不通，但VBAT管腳 依然通電 |
|
|
休眠模式 |
||
|
深度休眠模式 |
||
|
超深度休眠模式 |
||
|
關機模式 |
注意：
- 當模組進入休眠模式或深度休眠模式後，部分GPIO 會處於掉電關閉狀態，掉電 IO 口均無法響應中斷，無法喚醒模組退出休眠模式。休眠掉電GPIO 口請參考
- 模組進入休眠狀態後只能透過以下管腳中斷喚醒退出休眠模式。
|
管腳名 |
序號 |
功能 |
描述 |
|
PWRKEY |
1 |
開機關機 |
通拉低開機管腳觸發中斷 |
|
MAIN_TXD/RXD |
14，15 |
主串列埠 |
透過給串列埠發資料喚醒模組 |
|
MAIN_DTR |
50 |
模組喚醒管腳 |
拉低觸發中斷喚醒 |
|
VBUS |
6 |
USB 插入喚醒 |
USB插入，或拉高觸發 |
3.3 電源供電
|
管腳名 |
管腳號 |
描述 |
|
VBAT |
18,19 |
模組基帶電源，供電範圍3.3V~4.3V |
|
3.3.1 模組電源工作特性
在模組應用設計中，電源設計是很重要的一部分。由於LTE射頻工作時最大峰值電流高達1.5A，在最大發射功率時會有約700mA的持續工作電流，電源必須能夠提供足夠的電流，不然有可能會引起供電電壓的跌落甚至模組直接掉電重啟。
3.3.2 減小電壓跌落
模組電源VBAT電壓輸入範圍為3.3V~4.3V，但是模組在射頻發射時通常會在VBAT電源上產生電源電壓跌落現象，這是由於電源或者走線路徑上的阻抗導致，一般難以避免。因此在設計上要特別注意模組的電源設計，在VBAT輸入端，建議並聯一個低ESR(ESR=0.7Ω)的100uF的鉭電容，以及100nF、33pF、10pF濾波電容，VBAT輸入端參考電路如圖4所示。並且建議VBAT的PCB走線儘量短且足夠寬，減小VBAT走線的等效阻抗，確保在最大發射功率時大電流下不會產生太大的電壓跌落。建議VBAT走線寬度不少於1mm，並且走線越長，線寬越寬。
3.3.3 供電參考電路
電源設計對模組的供電至關重要，必須選擇能夠提供至少1A電流能力的電源。若輸入電壓跟模組的供電電壓的壓差小於2V，建議選擇LDO作為供電電源。若輸入輸出之間存在的壓差大於2V，則推薦使用開關電源轉換器以提高電源轉換效率。
LDO供電：
下圖是5V供電的參考設計，採用了Micrel公司的LDO，型號為MIC29302WU。它的輸出電壓是4.16V，負載電流峰值到3A。為確保輸出電源的穩定，建議在輸出端預留一個穩壓管，並且靠近模組VBAT管腳擺放。建議選擇反向擊穿電壓為5.1V，耗散功率為1W以上的穩壓管。
圖表4：供電輸入參考設計 圖表 6：DCDC 供電輸入參考設計
DC-DC 供電：
下圖是 DC-DC 開關電源的參考設計，採用的是傑華特公司的 JW5359M 開關電源晶片，它的最大輸出電流是 2A，輸入電壓範圍 3.7V~18V。注意 C25 的選型要根據輸入電壓來選擇合適的耐壓值。
3.3.4 開關機
開機
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
描述 |
|
PWRKEY |
DI |
1 |
模組開機/關機控制腳 |
在VBAT供電後，可以透過如下兩種方式來觸發Air700ECQ開機：
- 按鍵開機: PWRKEY管腳透過輕觸按鍵連線到地，按鍵按下1秒以上實現開機。
- 上電開機：將PWRKEY管腳直接短接到地，VBAT上電後就可以實現開機。
PWRKEY 管腳開機
VBAT上電後，可以透過PWRKEY管腳啟動模組，把PWRKEY管腳拉低1秒以上之後模組會進入開機流程，軟體會檢測VBAT管腳電壓，若VBAT管腳電壓大於軟體設定的開機電壓（3.3V），會繼續開機動作直至系統開機完成；否則，會停止執行開機動作，系統會關機，開機成功後PWRKEY管腳可以釋放。可以透過檢測VDD_EXT管腳的電平來判別模組是否開機。推薦使用開集驅動電路來控制PWRKEY管腳。下圖為參考電路：
圖表 5：開集驅動參考開機電路
另一種控制PWRKEY管腳的方法是直接使用一個按鈕開關。按鈕附近需放置一個TVS管用以ESD保護。下圖為參考電路：
圖表 6：按鍵開機參考電路
3.4 上電開機
將模組的PWRKEY 直接接地可以實現上電自動開機功能。需要注意，在上電開機模式下，將無法關機，只要 VBAT 管腳的電壓大於開機電壓即使軟體呼叫關機介面，模組仍然會再開機起來。另外，在此模式下，要想成功開機起來 VBAT 管腳電壓仍然要大於軟體設定的開機電壓值（3.3V），如果不滿足，模組會關閉，就會出現反覆開關機的情況。
對於用電池供電的應用場景不建議用 PWRKEY 接地的上電自動開機方式。
3.4.2 關機
以下的方式可以關閉模組：
- 正常關機：使用PWRKEY管腳關機
- 正常關機：透過AT指令AT+CPOWD關機
- 低壓自動關機：模組檢測到低電壓時關機，可以透過AT指令AT+CBC 來設定低電壓的門限值；
PWRKEY 管腳關機
PWRKEY 管腳拉低 1.5s 以上時間，模組會執行關機動作。
關機過程中，模組需要登出網路，登出時間與當前網路狀態有關，經測定用時約2s~12s，因此建議延長
12s後再進行斷電或重啟，以確保在完全斷電之前讓軟體儲存好重要資料。時序圖如下：
低電壓自動關機
模組在執行狀態時當 VBAT 管腳電壓低於軟體設定的關機電壓時（預設設定 3.3V），軟體會執行關機動作關閉模組，以防低電壓狀態下執行出現各種異常。
復位
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
電壓域 |
描述 |
|
RESET_N |
DI |
16 |
- |
模組復位輸入，低有效；無需外部上拉 |
RESET_N 引腳可用於使模組復位。 拉低RESET_N 引腳 100ms 以上可使模組復位。 RESET_N 訊號對干擾比較敏感， 因此建議在模組介皮膚上的走線應儘量的短，且需包地處理。
參考電路：
注意：
1. 復位功能建議僅在AT+CPOWD 和PWRKEY 關機失敗後使用。
3.5. 串列埠
模組提供了三個通用非同步收發器：主串列埠 MAIN_UART、AUX_UART、DBG_UART。
3.5.1. MAIN_UART
表格 6：MAIN_UART 管腳定義
3.5. 串列埠
模組提供了三個通用非同步收發器：主串列埠 MAIN_UART、AUX_UART、DBG_UART。
3.5.1. MAIN_UART
表格 6：MAIN_UART 管腳定義
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
電壓域 |
描述 |
|
MAIN _TXD |
DO |
14 |
VDD_EXT |
MAIN_UART 傳送資料 |
|
MAIN _RXD |
DI |
15 |
VDD_EXT |
MAIN_UART 接收資料 |
管腳
主串列埠 MAIN_UART 用來進行 AT 指令通訊。MAIN_UART 支援固定波特率, 不支援自適應波特率
MAIN_UART 在休眠狀態下保持的功能，能夠喚醒模組
MAIN_UART 的特點如下：
8個資料位，無奇偶校驗，一個停止位。
用以AT命令傳送，數傳等。
支援波特率如下：600,1200,2400,4800,14400,9600,19200,38400,57600,115200,230400,460800,921600bps
注意：
MAIN_UART 在開機過程中短時會輸出固定除錯資訊
3.5.2. AUX_UART
表格 7：AUX_UART 管腳定義
名
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
電壓域 |
描述 |
|
AUX_TXD |
DO |
31 |
VDD_EXT |
AUX_UART 傳送資料 |
|
AUX_RXD |
DI |
32 |
VDD_EXT |
AUX_UART 接收資料 |
AUX_UART為輔助串列埠，不支援AT指令互動，用於某些外設通訊，如對接GNSS定位模組等。
AUX_UART休眠後會關閉，無法透過給AUX_UART傳送資料進行喚醒。
3.5.3. DBG_UART
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
電壓域 |
描述 |
|
DBG_TXD |
DO |
3 |
VDD_EXT |
除錯串列埠，輸出 AP log， |
|
DBG_RXD |
DI |
2 |
VDD_EXT |
除錯串列埠，接收除錯指令 |
型
DBG_UART 用來軟體除錯時輸出 AP trace，建議預留測試點。
DBG_UART 在開機過程中短時會輸出固定除錯資訊。
DBG_TX、DBG_RX 預設功能為系統底層日誌口，進行模組硬體設計時，在剩餘功能引腳充足的前提
下，避免使用 DBG_TX 和 DBG_RX。
如果將此引腳複用為其他功能，則無法從 DBG_TX 和 DBG_RX 抓取系統日誌。
在某些場景下，如果模組出現異常，無法抓到問題日誌，只能透過硬體改版，引出 DBG_TX、
DBG_RX，抓取日誌再進行分析。
包括但不限於以下兩種場景：
1、低功耗場景：
在低功耗場景下，USB 無法使用，只能透過 DBG_TX、DBG_RX 來抓取日誌。
2、非低功耗場景：
模組接入 USB 時，工作正常，未接入 USB 時，工作異常的情況，只能透過 DBG_TX、DBG_RX 來抓取
日誌。
3.5.4. 串列埠連線方式
串列埠的連線方式較為靈活，如下是三種常用的連線方式。
三線制的串列埠請參考如下的連線方式：
圖表 7：串列埠三線制連線方式示意圖
3.5.5. 串列埠電壓轉換
Air700ECQ 模組的串列埠電平為 1.8V，能夠滿足大部分外設，主控的串列埠直接需求，但是如果要和 3.3V
或者以上的 MCU 或其他串列埠外設通訊，那就必須要加電平轉換電路：
注意
如果低功耗需求上拉不能用vdd-ext，要用agpio或者外部ldo做上拉
此電平轉換電路不適用波特率高於460800 bps的應用。
D2 必須選用低導通壓降的肖特基二極體。
肖特基二極體以及 NPN 三極體的推薦型號如下：
|
物料名稱 |
型號 |
廠商 |
描述 |
|
肖特基二極體 |
RB521S-30 |
江蘇長電 |
Schottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.6*0.8*0.6mm |
|
PSB521S-30 |
上海智晶 |
Schottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.6*0.8*0.6mm |
|
|
LRB521S- 30T1G |
LRC |
Schottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.6*0.8*0.6mm |
|
|
PSBD521S-30 |
Prisemi |
Schottky Diode;30V;200mA;SOD523;1.6*0.8*0.6mm |
|
|
NPN 三極體 |
MMBT3904 |
江蘇長電 |
Transistor;NPN;40V;200mA;SOT23;1.1mm;ROHS |
|
MMBT3904 |
上海智晶 |
Transistor;NPN;40V;200mA;SOT23;1.1mm;ROHS |
|
|
LMBT3904LT1G |
LRC |
Transistor;NPN;40V;200mA;SOT23;1.1mm;ROHS |
對於波特率高於 460800bps 的應用，可以透過外加電平轉換晶片來實現電壓轉換，參考電路如下：
此電路採用的是電平轉換晶片是 TI 的 TXS0108E， 8 位雙向電壓電平轉換器，適用於漏極開路和推輓
應用，最大支援速率：
推輓：110Mbps
開漏：1.2Mbps
3.6. USB 介面
Air700ECQ 的 USB 符合 USB2.0 規範，支援高速（480Mbps）、全速（12Mbps）模式和低速（1.2Mbps）
模式。USB 介面可用於 AT 命令傳送，資料傳輸，軟體除錯和軟體升級。
表格 8：USB 管腳定義
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
描述 |
|
USB_DP |
IO |
7 |
USB 差分訊號正，走線需控制 90 歐姆差分阻抗 |
|
USB_DM |
IO |
8 |
USB 差分訊號負，走線需控制 90 歐姆差分阻抗 |
|
VBUS |
DI |
6 |
USB 插入喚醒，模組內部電阻分壓。（非必須） |
USB介面參考設計電路如下：
圖表 8：USB 介面參考設計
注意事項如下：
1. USB 走線需要嚴格按照差分線控制，做到平行和等長；
2. USB 走線的阻抗需要控制到差分 90 歐姆；
3. 需要儘可能的減少 USB 走線的 stubs，減少訊號反射；USB 訊號的測試點最好直接放在走線上以
減少 stub；
4. 儘可能的減少 USB 走線的過孔數量；
5. 在靠近 USB 聯結器或者測試點的地方新增 TVS 保護管，由於 USB 的速率較高，需要注意 TVS 管
的選型，保證選用的 TVS 保護管的寄生電容小於 1pF
6. VBUS 作為 USB 插入喚醒作用，並不直接參與 USB 插入檢測，非必須，在不需要 USB 插入喚醒的
場景也可以不接
3.7. USB 下載模式
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
電壓域 |
描述 |
|
BOOT |
DI |
25 |
|
在開機之前上拉到 VDD_EXT，模組會強行進入 USB 下載模式，BOOT 須留測試點，方便後續升級軟體 |
Air700ECQ 模組進入 USB 下載模式：
1. 在開機之前，把 BOOT 上拉到 VDD_EXT
2. 給模組上電，POWKEY 拉低，開機
3. 成功進入下載模式後，PC 端會虛擬出單個串列埠。
|
管腳名 |
型別 |
序號 |
電壓域 |
描述 |
|
I2C0_SCL |
IO |
49 |
VDD_EXT |
I2C 時鐘訊號，用作 I2C 時需外加 1.8V 上拉 |
|
I2C0_SDA |
IO |
33 |
VDD_EXT |
I2C 資料訊號，用作 I2C 時需外加 1.8V 上拉 |
|
I2C1_SCL |
IO |
37 |
VDD_EXT |
I2C 時鐘訊號，用作 I2C 時需外加 1.8V 上拉 |
|
I2C1_SDA |
IO |
38 |
VDD_EXT |
I2C 資料訊號，用作 I2C 時需外加 1.8V 上拉 |
3.8 I2C
Air700ECQ 可支援兩路 I2C 介面：
相容 Philips I2C 標準協議
支援 Fast mode （400Kbps）和 Slow mode（100Kbps）
只支援 master 模式，不支援 slaver 模式
可透過軟體來配置內部的上拉電阻，1.8K 或者 20K
理論上最多可支援 127 個從裝置
I2C 的參考電路如下：
Air700ECQ 的 I2C 介面電壓固定 1.8V，能夠滿足大部分外設的直接需求，但是如果要和 3.3V 或者以上 電平的外設通訊，那就必須要加電平轉換電路：
電平轉換用的 NMOS 管必須選用結電容小於 50pF 的型號，推薦型號如下：
|
物料名稱 |
型號 |
廠商 |
描述 |
|
NMOS |
BSS138 |
江蘇長電 |
N 溝道,50V,0.22A,SOT-23,ROHS |
|
BSS138 |
UMW(友臺半導體) |
N 溝道,50V,0.3A,SOT-23,ROHS |
3.9. SIM 卡介面
Air700ECQ 支援 1 路 SIM 卡介面，支援 ETSI 和 IMT-2000 卡規範，支援 1.8V 和 3.0V USIM 卡。SIM 介面
下表介紹了 SIM 介面的管腳定義。
表格 9：SIM 卡介面管腳定義
|
介面 |
管腳名 |
序號 |
描述 |
|
SIM |
SIM_VDD |
13 |
SIM 卡供電電源，最大供電電流 10mA。 模組可以自動識別 1.8V 或者 3V(U)SIM 卡。 |
|
SIM_RST |
10 |
SIM 卡復位訊號 |
|
|
SIM_DAT |
12 |
SIM 卡資料訊號 |
|
|
SIM_CLK |
11 |
SIM 卡時鐘訊號 |
3.9.1. SIM 介面參考電路
下圖是 SIM 介面的參考電路，使用 6pin 的 SIM 卡座。
圖表 9：使用 6pin SIM 卡座參考電路圖(SIM)
在SIM卡介面的電路設計中，為了確保SIM卡的良好的功能效能和不被損壞，在電路設計中建議遵循以下設計
原則：
1. SIM卡座與模組距離擺件不能太遠，越近越好，儘量保證SIM卡訊號線佈線不超過20cm。
2. SIM卡訊號線佈線遠離RF線和VBAT電源線。
3. 為了防止可能存在的USIM_CLK訊號對USIM_DATA訊號的串擾，兩者佈線不要太靠近，在兩條走線之間增
加地遮蔽。且對USIM_RST_N訊號也需要地保護。
4. 為了保證良好的ESD保護，建議加TVS管，並靠近SIM卡座擺放。選擇的ESD器件寄生電容不大於50pF。在
模組和SIM卡之間也可以串聯22歐姆的電阻用以抑制雜散EMI，增強ESD防護。SIM卡的外圍電路必須儘量靠近SIM卡座。
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