日韓工廠告急 宏旺半導體等國產儲存晶片企業或逆勢滲透

數碼瓜子哥發表於2020-03-12

這廂韓國的疫情還在持續爆發,那邊三星華城工廠區又傳出了失火情形。據瞭解,距離火災最近的 Line 16 主要為生產 3D 快閃記憶體 (3D NAND Flash) 以及 CMOS 影像感測器 (CIS/CMOS Image Sensor) 的廠房,在生產製程方面以 64 (V4) 為主,目前約佔三星快閃記憶體 (NAND Flash) 總投片量的 11-12% ,並規劃逐季減少快閃記憶體 (NAND) 產能。

 

日韓工廠告急  宏旺半導體等國產儲存晶片企業或逆勢滲透

 

儘管業界人士認為該事件對供需初步沒有太大沖擊,然而該訊息傳出後,還是有不少人擔心儲存晶片市場的供應。宏旺半導體之前說過,今年春節前,鎧俠發生了火災、三星也出了停電事故,這些事件都一定程度上促進了 2020 Q1 季度的記憶體價格走勢可能由原先的大致持平轉為小幅上漲。

 

事實上,日韓儲存企業發生火災或跳電引起儲存晶片市場暴漲的戲碼已經屢見不怪了,趁著國記憶體儲晶片大量投放市場之前,先造成供給受限的局面,引起價格波動,從而進一步壟斷全球市場、佔據對國內市場的話語權。

 

再加上韓國目前的形勢對全球儲存晶片供給能力產生了較大不確定性,本就進入價格上漲週期的儲存晶片價格預計上漲會進一步加劇。三星、 SK 海力士均為國際半導體巨頭,在儲存器領域佔據壟斷地位,牽動全球儲存器供應,後續報價波動更大。在疫情等影響下,全球消費電子產業將持續被影響,特別是智慧手機以及 DRAM 這兩大產業上。

 

目前很多下游組裝廠都已經開始復工,加大對 DRAM 的採購,想要增加庫存,在復工的過程中上下游產能利用率將進一步增長,很有可能會造成關鍵元器件缺貨的情況,很顯然目前儲存市場供給還是比較緊張的,如果不能夠及時調整發展措施,那麼產品儲存的價格或許進一步上漲,至於漲價多長時間還有待觀察。

 

要知道,做記憶體晶片市場九死一生,需要舉國家之力,不是一家企業可以抗衡的。因而,在這樣的背景下,國家不得不大力扶持發儲存晶片的開發。在政策的扶持和產業、技術的發展下,以 ICMAX 宏旺半導體為代表的民族企業正在持續增長地蓬勃發展。面對不同的應用領域和各行業 的進一步細分, 2019 年,宏旺半導體加大研發投入,堅持自主創新,在嵌入式儲存的基礎之上,推出了 DDR3 DDR3L DDR4 DIMM 系列和 2.5 寸、 mSATA M.2 NGFF M.2 NVME SSD 系列,並實現了業內首家量產 8GB LPDDR4X ,力爭在產能供應保障上獲得自身的優勢。

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5G 時代,巨量資料將產生巨大的資料儲存需求。根據 IDC 預測,到 2025 年,全球資料圈將擴充套件至 163ZB (1ZB 等於 1 萬億 GB) ,相當於 2018 年的六倍。預估 2019 年產生 35ZB 資料,其中約 58% 來自於 HDD 30% 來自於快閃記憶體,主要是  NAND Flash ,從目前 NAND Flash 出貨容量來看,存在巨大成長空間。儘管國產廠商 NAND 技術與國際廠商還存在差距,但我們已經有了一定的進步,對於國產儲存行業來說,這是值得稱讚的事。


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