行列地址複用：假設你的儲存器容量是16bit，那麼可以將這16個位元組織成一個4*4的矩陣，為了找到某個你想要找的bit，比如第1行第2列的那個bit。你先傳送二進位制的01，表示要找的資料在第1行；接著傳送二進位制的10，表示要找的資料在第2列。這樣一來你就找到了第1行第2列的那個bit。可以發現只要兩根地址線就能尋找16個bit了，但是要傳送兩次地址（一次行地址，一次列地址）
行列獨立：同樣的16bit儲存器，這16個bit不是組織成一個矩陣，而是一個陣列，標號0~15，所以需要四根地址線來尋找，譬如要找第12個bit，你傳送地址線訊號1100就能找到。可以發現行列獨立的地址線數量比行列地址複用要多，但是地址資料只要一次就能傳輸完成。
DRAM一般使用行列地址複用技術，而SRAM一般使用行列獨立技術。
DRAM 普遍採用的是行與列地址分時複用技術進行定址。在 DRAM 的矩陣儲存單元中，地址可以分成行地址和列地址。在定址時，必須先進行行定址然後在進行列定址，這是由 DRAM 的硬體電路所決定的。所以，對行地址線和列地址線進行共用，傳送時只需要一半地址，先傳送至緩衝區，再傳送給譯碼器即可。既節省了地址線，也不會降低 DRAM 原有的工作速率（因為 DRAM 的行地址和列地址就是要分時傳送的）。
如果是 SRAM 採用這種定址方式的話，則會大大降低其工作速度。Cache多為SRAM，儲存單元是線性排列，不像DRAM那樣分行列，所以不適用行列地址線複用方式。不過說到底是因為Cache就是為了快才存在的，容量又小，所以SRAM也用得起。