近期，斯達半導釋出業績快報，2021年公司營業收入為17.07億元，同比增長77.22%；淨利潤3.98億元，同比增長120.54%。
作為國內IGBT龍頭，斯達半導於2011年和2015年獨立研發出IGBT第四代NPT型晶片和第六代FS-Trench晶片，並量產製造成模組，打破了國外跨國企業長期以來對IGBT晶片的壟斷。
2020年2月4日，斯達半導正式在上交所掛牌上市，當日市值達20.38億元。經過兩年多時間發展，斯達半導市值迅速上漲至近590億元。
一個必須面對的現實是，IGBT行業幾乎被國外大廠壟斷。英飛凌、安森美、三菱、富士機電、意法半導體等佔據了全球60%市場。其中，排名第一的英飛凌市場佔有率超過20%。
相比之下，斯達半導在全球市場佔比不到3%，未來還有很大的發展空間。
1、IGBT「中國龍頭」崛起，35億定增佈局黃金賽道
斯達半導成立於2005年，是一家專業從事功率半導體晶片和模組尤其是IGBT晶片和模組研發、生產和銷售服務的企業。公司主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等等。
簡單來說，功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，它的作用類似於人類的心臟，主要用於電壓、頻率的調節以及直流交流轉換。
從最初的二極體到閘流體到MOSFET再到IGBT，功率半導體也在不斷髮展演進。IGBT是最新一代的功率半導體，也被譽為「電力電子器件裡的CPU」。
目前，斯達半導已經研發出了全系列IGBT晶片、FRD晶片和IGBT模組，實現了進口替代。其中，IGBT模組是封裝模組化後的IGBT晶片，也是斯達半導的主要業務。斯達半導的IGBT模組最初用於工控領域，現已擴充至新能源車和光伏風電及變頻家電領域。
根據Omdia報告，2020年斯達半導IGBT模組排名全球第六，較2019年提升一名，全球市佔率達2.8%，同比增加0.3%，是國內唯一進入全球IGBT模組前十的公司。
2021年，斯達半導產品在下游行業持續突破，營業收入實現高速增長。業績快報顯示，2021年公司營業收入為17.07億元，同比增長77.22%；淨利潤3.98億元，同比增長120.54%；歸屬於上市公司股東的淨利潤3.98億元，同比增長120.54%；歸屬於上市公司股東的扣除非經常性損益的淨利潤3.78億元，同比增長143.33%。
為進一步開啟成長空間，斯達半導不斷加大研發投入。2021年11月15日，斯達半導公佈定增結果。據披露，斯達半導此次發行數量10,606,060股，發行價格330元/股，募資總額約35億元。
此次募集資金將用於投資碳化矽晶片和功率半導體模組等專案，包括高壓特色工藝功率晶片研發及產業化專案、SiC晶片研發及產業化專案、功率半導體模組生產線自動化改造專案、以及補充流動資金。
中泰證券研報顯示，專案達產後，預計獲得年產30萬片6寸高壓功率晶圓、6萬片SiC晶圓、400萬個功率模組的產能。這使得：1）公司具備3300V及以上IGBT模組的供應能力，可進一步拓寬對現有客戶如匯川技術、英威騰、西門子的出貨範圍；2）公司將擁有自主的車規SiCMOSFET晶片，從而提升車規級SiC模組的產能保障能力。
2、發力新能源汽車，挑戰「全球霸主」英飛凌
新能源車是IGBT下游門檻最高的細分之一，也是兵家必爭之地。據悉，IGBT模組在新能源汽車領域中發揮著至關重要的作用，被廣泛應用於電機控制器、車載空調、充電樁等裝置。根據EV tank預測，2025年我國新能源汽車IGBT市場規模將達165億元。
據2021年半年報，斯達半導生產的用於主電機控制器的車規級IGBT模組持續放量，累計配套超20萬輛新能源汽車；基於第六代Trench FieldStop技術的650V/750V IGBT晶片及配套快恢復二極體晶片的模組新增多個車型的主電機控制器平臺定點，將拉動公司新能源汽車領域IGBT模組銷售增長；基於第七代微溝槽Trench Field Stop技術的新一代車規級650V/750V IGBT晶片也預計於2022年開始批次供貨。
斯達半導雖然已躋身國內車規級IGBT模組產品的主要供應商之列，但相比英飛凌還有很大的差距。作為汽車電子、功率半導體和安全IC的頭部企業，英飛凌始終保持著強勁的市場增長與半導體產能供應能力。
英飛凌2021財年實現營業收入110.6億歐元，同比增長29%；總運營利潤達到20.72億歐元；運營利潤率為18.7%；自由現金流達到15.74億歐元。
對斯達半導來說，能否利用SiC、GaN第三代半導體彎道超車國際大廠，是更大的挑戰和機遇。與第一二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁頻寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料。
目前，國內外各大功率半導體廠商，均已對第三代半導體進行佈局。英飛凌宣佈投資20億歐元在馬來西亞建造第三個廠區，以提高自身在寬禁帶半導體領域的製造能力，目標是到本世紀中期透過基於SiC的功率半導體實現10億美元的收入。
此前，特斯拉在Model 3率先採用以24個SiC-MOSFET為功率模組的逆變器。比亞迪「漢」的電機控制器中也已開始應用SiC-MOSFET模組。
需要注意的是，基於高昂的成本和穩定性的考慮，SiC材料的功率器件想要大規模替代傳統IGBT仍需時間。在這個視窗期，疊加缺芯危機為國產替代創造的機遇，斯達半導有望脫穎而出，挑戰全球霸主英飛凌。