SuperFin是英特爾10nm最大的亮點，它是FinFET結構的升級版。英特爾將增強型FinFET晶體、Super MIM（金屬-絕緣體-金屬）電容器相結合，打造了全新的SuperFin，能夠提供增強的外延源極/漏極、改進的柵極工藝，額外的柵極間距。
英特爾表示，這是該公司有史以來最為強大的單節點內效能增強，10nm工藝可以實現節點內超過15％的效能提升，帶來的效能提升可與全節點轉換相媲美。」換言之，在SuperFin技術的加持下，英特爾推出的10nm工藝效能可以等同於7nm。
撰文 | 微胖、徐丹
有時，好事如同正義，雖會遲到，但還是會來。
本週二，英特爾的頂級工程師們罕見揭開“跳票”已久的Tiger Lake 10nm CPU微架構面紗，後者將出現在9月2日釋出的產品中。設計師們為這款即將面世的Tiger Lake感到驕傲，不過仍被禁止討論處理器效能。
這款被稱為英特爾第11代CPU的處理器，將與Xe Graphics 配對使用，並惠及伺服器到遊戲的所有生態成員。英特爾首席架構師拉賈·科杜裡（Raja Koduri）表示，他們還將採用 SuperFin 技術。
英特爾的處理器設計方法。
自從不得不推遲7奈米制造工藝之後，英特爾也不斷經歷著掙扎。今年早些時候，英特爾首席財務官喬治 · 戴維斯（George Davis）在摩根士丹利 3 月的會議上對投資者承認，公司已經落後於競爭對手臺積電，要追趕上至少需要 2 年時間。
本月，原首席工程官 Venkata Renduchintala 辭職。更早的時候，著名晶片架構師吉姆·凱勒因個人原因離開英特爾。
事實上，英特爾盯緊7nm，也與10nm製程多次延期有關，希冀藉此彌補10nm延期所造成的時間損失。如今看來，還是10 nm 最先守得雲開見月明，未來幾年，10nm 也將代表英特爾最佳工藝水平。
一 英特爾的掙扎：多次跳票的10nm
早在 2013 年，英特爾就設想透過 2.7 倍密度的 SAQP、COAG、Cobolt 互連，以及 EMIB 和 Foveros 等新的封裝技術，讓 10nm 晶片成功接過 14nm 晶片接力棒。
然而，在將10奈米技術推向市場時遭遇延誤，並一再跳票。
最初，10nm工藝安排在2016年下半年，但是，2015年初，英特爾就推遲相關製造裝置的安裝部署。當年7月，公司承認大規模量產推遲到2017年下半年，並臨時增加 Kaby Lake(七代酷睿)，號稱工藝最佳化升級為14nm+。
隨後，Intel規劃了基本完整的10nm產品線，包括面向低功耗桌面和移動市場的Cannon Lake、針對高階桌面和伺服器的Ice Lake、配合新工藝升級架構的的Tiger Lake。
2017年初CES大展上，Intel首次展示了配備Cannon Lake處理器的筆記本，並保證會在當年晚些時候釋出，但 Ice Lake、Tiger Lake都推遲到了2018年。Intel不得不又增加Coffee Lake(八代酷睿)，工藝再次最佳化為14nm++。
2018年4月，公司宣佈由於良品率問題，10nm工藝大規模量產將推遲到2019年。
2019年初，英特爾在CES上正式公佈10nm 製程落地並披露更多相關細節。
對於長達數年的“跳票“，英特爾給出的解釋包括設想太自信、團隊之間目標不明確、管理混亂以至於計劃一拖再拖。事實上，也與英特爾IDM模式有關。
英特爾是為數不多的IDM垂直整合型半導體公司。自己設計晶片架構、自己製造晶片、自己封裝晶片，其它晶片廠商幾乎做不到。
這種模式的好處很明顯，英特爾能夠自主根據不同工藝開發不同的CPU架構。因為全自主，新工藝開發的架構可以最大化利用特定工藝優勢，達到更好的匹配與契合。
但不足之處在於，將架構與工藝捆綁起來制約了靈活性。比如10nm延期之後，英特爾無法使用14nm工藝去生產10nm製程架構就是典型的例子。
如今，英特爾10nm 終見曙光，彼時的三星、臺積電早就有10nm，並已開始量產7nm。當然，各家工藝技術不同，沒有直接可比性。
英特爾表示，自家 14nm、10nm、7nm 分別相當於臺積電的 10nm，7nm、5nm。至少從字面看，英特爾在10nm製程節點已經做到與臺積電7nm製程同樣的電晶體整合數量，但是，效能究竟如何，仍然是使用者和市場說了算。
二 節點內超過15％的效能提升，SuperFin重新定義FinFET
姍姍來遲的10nmCPU也沒有讓市場空等，10nm CPU創新性的使用了Super Fin工藝。
幾年前，英特爾首應用了22nm FinFET工藝，可以說是晶圓製造歷史上的一次重要革命。
FinFET是晶圓製造工藝的一種，稱為鰭式場效應電晶體(Fin Field-Effect Transistor)，其中的Fin在構造上與魚鰭非常相似，所以稱為“鰭式”，而FET的全名是“場效電晶體” 。
FinFET的變革性意義在於將傳統電晶體的2D結構變為3D架構。傳統電晶體結構是平面的，所以只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開。但是在FinFET架構中，閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構，可於電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種叉狀3D架構不僅能改善電路控制和減少漏電流，同時讓電晶體的閘長大幅度縮減。
但FinFET工藝製造及其複雜，在英特爾的改良應用之下，臺積電、三星等廠商才後續跟上。不過隨著製程的發展，FinFET也需要改良。
昨日英特爾的披露的下一代Willow Cove CPU升級了FinFET，它將增強型FinFET晶體、Super MIM（金屬-絕緣體-金屬）電容器相結合，打造了全新的SuperFin，能夠提供增強的外延源極/漏極、改進的柵極工藝，額外的柵極間距。
英特爾官方顯示，與FinFET相比，SuperFin架構效能主要優勢體現在如下方面：
- 1、增強源極和漏極上晶體結構的外延長度，從而增加應變並減小電阻，以允許更多電流透過通道。
- 2、改進柵極工藝，以實現更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動。
- 3、提供額外的柵極間距選項，可為需要最高效能的晶片功能提供更高的驅動電流。
- 4、使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30％，從而提升了互連效能表現。
- 5、與行業標準相比，在同等的佔位面積內電容增加了5倍，從而減少了電壓下降，顯著提高了產品效能。
該技術的實現主要得益於一類新型的高K電介質材料，它可以堆疊在厚度僅為幾埃米(也就是零點幾奈米)的超薄層中，從而形成重複的“超晶格”結構。這也是Intel獨有的技術。
「這是該公司有史以來最為強大的單節點內效能增強，10nm工藝可以實現節點內超過15％的效能提升，帶來的效能提升可與全節點轉換相媲美。」換言之，在SuperFin技術的加持下，英特爾推出的10nm工藝效能可以等同於7nm。
英特爾稱，10nm SuperFin電晶體技術將在代號Tiger Lake的下一代移動酷睿處理器中首發，現已投產，OEM筆記本將在今年晚些時候的假日購物季上市。
三 釋出遊戲專用GPU架構，與英偉達、AMD一較高下？
除SuperFin架構，英特爾也披露了“混合結合（Hybrid bonding）”這一先進封裝技術。
如今異構已經成了未來晶片發展的一種趨勢，越來越多的硬體甚至IP將會整合到一塊晶片當中。英特爾提出的封裝技術實際上就相當於一種分解設計，化繁為簡，晶片分為CPU、GPU、IO等，再分別更新或驗證，這樣就可以避免CPU和GPU糾纏一起出現bug的問題。
要達到這種設計效果，其中的互聯就變得尤為重要，“混合結合”解決的就是分解設計中的互聯問題，能夠加速實現10微米及以下的凸點間距，提供更高的互連密度、頻寬和更低的功率。
據透露，使用“混合結合（Hybrid bonding）”技術的測試晶片已在2020年第二季度流片。
英特爾的這些技術都在下一代酷睿處理器Tiger Lake中體現。據英特爾透露，Tiger Lake將由英特爾全新的Willow Cove架構提供動力，Willow Cove就是基於10nm的SuperFin技術。
英特爾指出，Tiger Lake將在關鍵計算向量方面提供智慧效能和突破性進展。它是英特爾第一個採用全新 Xe-LP微架構的SoC架構，可以對CPU、AI加速器進行最佳化，在AI效能、圖形效能上有所提升。
Xe-LP是Intel面向PC和移動計算平臺的最高效架構，擁有多達96個EU，並採用了包括非同步計算在內的新架構設計，以提供更大的動態範圍和頻率提升。Xe-LP之外，英特爾還推出了其他兩款架構版本，Xe-HP和Xe-HPG。
據介紹 Xe-HP面向資料中心市場，是業界首個多區塊（multi-tiled）、高度可擴充套件的高效能架構，可提供資料中心級、機架級媒體效能，GPU可擴充套件性和AI最佳化。它涵蓋了從一個區塊（tile）到兩個和四個區塊的動態範圍的計算，其功能類似於多核GPU，有望在2021年釋出。
Xe-HPG專門針對遊戲而設計，新增了基於GDDR6的新記憶體子系統以提高價效比，新增了遊戲及時調整和遊戲銳化兩個新功能，同樣預計同樣在2021年釋出。值得注意的是，這可能代表著英特爾將首次圍繞遊戲所需的GPU，意味著英特爾打算在這個領域AMD、英偉達一較高下。
所以現在Xe GPU的架構就變成了Xe LP、Xe HPG、Xe HP及Xe HPC四大金剛了，未來會覆蓋核顯到HPC超算在內的多個場景。
除了Tiger Lake之外，英特爾還在本次釋出會中提到了另外一款產品——Alder Lake。據介紹，該產品是英特爾的下一代採用混合架構的客戶端產品。Alder Lake將結合英特爾即將推出的兩種架構——Golden Cove和Gracemont，並將進行最佳化，以提供出色的效能功耗比。
軟體oneAPI Gold版本將於今年晚些時候推出，為開發人員提供在標量、向量、距陣和空間體系結構上保證產品級別的質量和效能的解決方案。
四 10nm能拯救英特爾嗎？
英特爾晶片製造工藝的擠牙膏很大程度上拖累了晶片上市程式。英特爾表示正在嘗試改變其晶片設計與製造的結合方式，暗示它可以使用外部製造商（例如合同晶片製造商臺積電）來製造其晶片。
Koduri將此新策略稱為“系統彈性設計”。此前有訊息傳出英特爾已經在臺積電下了不少訂單，不過，是GPU訂單。
從Super Fin工藝的推出來看，英特爾還是會把CPU製造緊緊的抓在自己手裡，並且作為一大核心優勢。
從目前披露出的效能看，英特爾的10nm Super Fin架構的確在技術上前進了不小的一步。但有業內人士認為，相比它的競爭對手們，英特爾還是遲了，即便在SuperFin的加持下，10nm也只能是達到7nm的技術水平。
最大的不確定性在於，英特爾目前的技術進展還處於“PPT階段”，市場上還沒有任何英特爾10nm產品的訊息。
那麼，在Super Fin加持的英特爾10nm是否能如期上市，上市表現究竟會如何？還得等市場驗證。
參考資料
https://venturebeat.com/2020/08/13/intels-chip-architects-promise-innovations-despite-setbacks/