英特爾介紹Intel4工藝:2倍密度,效能提升20%
英特爾於今日已分享了一些有關其下一代 Intel 4 工藝的訊息,該工藝可以用於intel的大部分產品上。包括旗下的最新cpu處理器。該技術不僅提升了電腦硬體的效能,而且降低了消耗,可能會給英特爾下世代帶來極大的收益。
據報導,該工藝將用於 2023 年釋出的產品,它是英特爾第一個採用 EUV 的工藝。
Intel 4 將首先用於英特爾即將推出的 Meteor Lake 處理器,該處理器將屬於英特爾第 14 代酷睿家族。除了在工藝技術上取得顯著進步外,Meteor Lake 還將成為英特爾的第一個基於 tile / chiplet 的客戶端 CPU,使用 I / O 核心、CPU 核心和 GPU 核心等 tile 模組。
英特爾公佈的資料顯示,Intel 4 的鰭片間距降至 30 奈米,是 Intel 7 的 34 奈米間距尺寸的 0.88 倍。同樣,接觸柵之間的間距現在為 50nm,低於之前的 60nm。英特爾聲稱 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍,或者更具體地說,電晶體的尺寸減少了一半。
此外,新工藝對金屬層進行了重大更改。英特爾在其 Intel 7 工藝的最底層用鈷代替了銅,該公司認為出於電晶體壽命的原因,這是必要的。然而,從效能的角度來看,鈷並沒有那麼好,長期以來人們一直懷疑鈷是英特爾 Intel 7 的主要絆腳石之一。
對於 Intel 4,英特爾仍在使用鈷,但現在他們使用的不是純鈷,而是所謂的增強銅 (eCu),即銅包覆鈷。
效能方面,報導稱在 0.65v 的等功率下,Intel 4 的頻率與 Intel 7 相比提高了 21.5%。在 0.85v 及以上時,等功率增益接近 10%。
英特爾稱,Intel 4 在電源效率方面的收益更大。在等頻( 2.1 GHz 左右)下,Intel 4 的功耗降低了 40%。隨著頻率的增加,收益遞減。
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