納微新一代氮化鎵功率晶片NV6125、NV6127、NV6128、NV6136A（N通道）

前言：

矽晶片退出舞臺，是全球充電界的大勢所趨。而納微半導體的出現，讓這個半導體界的“新老交替”來的更快了一點。除了我們都在使用的充電器，納微半導體還在刻苦研發大功率工業領域的應用，率先將氮化鎵晶片引入資料中心，電動汽車，5G基站，通訊裝置和新能源等行業。

此次主要介紹納微新一代氮化鎵功率晶片NV6125、NV6127、NV6128、NV6136A 這5款產品的主要資訊。

NV6125 氮化鎵功率晶片，內建驅動器，無需外接驅動器，175mΩ導阻，耐壓650V，支援2MHz開關頻率，採用散熱增強的QFN6*8mm封裝，適用於升壓，降壓，半橋，全橋開關電源等諸多應用場合。

NV6127 採用QFN6*8mm封裝，散熱效能升級，125mΩ導阻，內建驅動器支援10-30V供電。最高支援2MHz開關頻率。

NV6128 氮化鎵功率晶片具有開爾文源極，有效降低寄生引數對高頻開關的影響。NV6128導阻為70mΩ，在納微的氮化鎵功率晶片中最低。晶片額定工作電壓為650V，峰值耐壓800V，在系統中的可靠性更高，支援2MHz高開關頻率。該晶片採用QFN6*8mm封裝，在使用電流檢測電阻時仍能得到增強的散熱。

NV6136A 是納微最新推出的GaNFast系列氮化鎵功率晶片，內建GaNSense無損電流取樣技術，支援無損電流檢測輸出，無需外接取樣電阻，節省面積的同時還能提升轉換效率。

NV6136A內建170mΩ氮化鎵開關管，採用QFN6*8封裝，內建的驅動器支援10-30V供電，支援2MHz開關頻率。同時晶片內部還整合了更高效的保護與驅動電路，具備全面的保護功能。

明佳達供應氮化鎵功率晶片NV6125、NV6127、NV6128、NV6136A（N通道）30-PowerVQFN

拓撲/應用：

交流-直流，直流-直流，交流-交流

QR反激、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC諧振、D級

無線電源、太陽能微型逆變器、LED照明、電視SMPS、伺服器、電信

總結

作為世界上率先推出氮化鎵功率IC的公司，納微半導體擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊，可以持續不斷為廣大充電器或電源介面卡廠商提供多種氮化鎵技術的產品，可以最高支援PD3.1協議的240W氮化鎵充電器應用，同時讓更多領域的產品享受到第三代半導體氮化鎵技術賦能的好處。

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