如今，固態硬碟的發展迅速，技術也逐步成熟，對於選購固態硬碟不再只是容量選擇的那麼簡單，更多人群更在意的是效能與顆粒型別，而對於SSD顆粒型別，相信不少使用者對QLC、SLC、MLC、TLC顆粒型別一無所知，而尤其是最新推出的搭載QLC顆粒的固態硬碟來說，不少使用者稱QLC顆粒不好。那麼QLC顆粒怎麼樣？下面分享一下固態硬碟QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區別對比知識。
固態硬碟QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區別對比知識
根據NAND快閃記憶體中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次儲存單元）、MLC（雙層儲存單元）、TLC(三層儲存單元)以及最新推出的QLC（四層儲存單元）。固態硬碟依靠快閃記憶體晶片來儲存資料，裡面存放資料最小單位叫作“Cell”，SLC每個cell可以存放1bit資料，MLC每個cell可以存放2bit資料，TLC每個cell可以存放3bit資料，而QLC可以存放4bit資料。
為了小白更好的理解其中的意義，我來舉個例子，我們將晶片可以看做一張畫滿格子的紙張，cell相當於紙張上的一個個的格子，資料看做是一個黃豆。也就是說，SLC方案每個格子中只能放入一顆黃豆，所以儲存空間較小，MLC方案每個格子可以放入兩顆黃豆，TCL方案每個格子可以放入三顆黃豆，而QLC方案每個格子可以存放四個黃豆，成本不變的情況下，儲存空間較大。要知道這個紙張（晶片晶圓）價格也十分昂貴的，也就是說同樣的晶圓如果做成SLC只有128G，做成MLC就有256G了，做成TLC的話變成512G，而做成QLC我們可以做成更大容量，而成本是相同的。
QLC顆粒
QLC、SLC、MLC、TLC顆粒區別對比
SLC（單層儲存單元）
全稱是Single-Level Cell，單層電子結構，每個cell可以存放1bit資料，SLC達到1bit/cell，寫入資料的時候電壓變化區間小，P/E壽命較長，理論擦寫次數在10萬次以上，但是由於成本最高，所以SLC顆粒多數用於企業級高階產品中。
MLC（雙層儲存單元）
全稱是Multi-Level Cell，使用高低電壓的而不同構建的雙層電子結構，MLC達到2bit/cell，P/E壽命較長，理論擦寫次數在3000-5000次左右，成本相對較高，但是對於消費級來說也可以接受，多用於家用級高階產品中。
TLC（三層儲存單元）
全稱是Trinary-Level Cell，三層式儲存單元，是MLC快閃記憶體延伸，TLC達到3bit/cell，由於儲存密度較高，所以容量理論上是MLC的1.5倍，成本較低，但是P/E壽命相對要低一些，理論擦寫次數在1000-3000次不等，是目前市面上主流的快閃記憶體顆粒。
QLC（四層儲存單元）
全稱是Quad-Level Cell，四層式儲存單元，QLC快閃記憶體顆粒擁有比TLC更高的儲存密度，同時成本上相比TLC更低，優勢就是可以將容量做的更大，成本上更低，劣勢就是P/E壽命更短，理論擦寫次數僅150次。
QLC、SLC、MLC、TLC顆粒對比
QLC顆粒為什麼不好？
每一個Cell單元儲存資料越多，單位面積容量就越高，但是同時會導致不同電壓狀態越多，並且越難控制，所以採用QLC顆粒的固態，雖然容量更大價格更便宜，但是穩定性較差，並且P/E壽命較低，速度最慢。
總結：
QLC NAND最大的優勢就是在於成本更低，相同的成本下能夠做出更大容量的SSD，容量將不再受到限制，1TB容量對於QLC顆粒來說，都是小意思，幾十到上百TB才是主流，大容量固態硬碟時代開始了。但是對於P/E壽命和速度來說，這是QLC顆粒最大劣勢之處，P/E壽命的公式是擦寫次數*容量/每天擦寫量/365，但是QLC顆粒的固態硬碟容量都很大，假設1個1TB的QLC顆粒的固態硬碟，每天擦寫100G，也就是它的壽命=1024*100/100/365，約2.8年，還有這個最大寫入次數也是理論上的，超出不一定就100%壞了，關鍵電腦不可能每天開啟，也有休息的時候，加之每天不可能都擦寫100G，所以它的壽命也是不用太擔心的，等待固態硬碟壞了，整臺電腦也淘汰了。
QLC顆粒相信不少使用者會說是技術倒退，但是對於廠商來說，目前使用者對儲存容量需求隨之提高，目前TLC和MLC顆粒大容量的固態硬碟價格偏貴，更低成本更大容量才是未來趨勢，相信QLC顆粒會使得固態硬碟進入大容量廉價時代。