機械硬碟儲存
機械硬碟是利用磁性極粒來儲存資料的，所以機械硬碟通常又被稱作磁碟
儲存器發展歷史：
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固態硬碟儲存
固態硬碟主要由主控、快取、快閃記憶體組成，純電子結構，固態硬碟儲存資料的基本儲存單元是"浮柵電晶體"，基本結構有：儲存電子的浮柵層，控制極G、襯底P、源極D與漏極S。浮柵被二氧化矽包裹，和上下絕緣，即使在去除電壓之後，柵極內的電子也會被捕獲，斷電時也能儲存電子，這就是固態硬碟掉電也能儲存資料的原理。
將浮柵層中的電子數量高於一定值計為0，低於一定值計為1
寫入資料：
寫入資料時，需要在控制極G施加一個高壓，這樣電子就可以穿過隧穿層，進入浮柵層，因為有絕緣層的存在，電子不能再向前移動了，就被囚禁在了浮柵層。而當我們把電壓撤去，這些電子依然會被囚禁在浮柵層，因為隧穿層本質上也相當於絕緣體，所以電子們只能被關押著，這樣一位資料就被儲存進去了。這些電子能被"囚禁"多長時間也就是固態硬碟能夠儲存資料的年限，一般一塊新的固態硬碟能夠儲存資料的年限為10年。因為隨著時間的流逝，不斷地有電子"越獄"成功。等"越獄"的電子多到一定的數量，我們儲存的資料就不見了。
擦除資料：
我們擦除固態硬碟上的資料其實就是在釋放這些可憐的電子，即在襯底上施加高壓，這樣電子被吸出來，資訊也就被擦除了。
讀取資料
當浮柵層中不存在電子時（儲存資料為1），我們給控制級一個低壓，由於電壓低，電子只能被吸引到靠近隧穿層的位置，卻無法穿過隧穿層，因而源極漏極可以導通，形成電流。如果檢測到電流，那麼說明它沒有儲存電子，則讀取資料為1。
當浮柵層中存在電子時（儲存資料為0），我們還給控制極一個低壓，由於浮柵層裡面的電子對這些電子有排斥作用，所以電子無法被吸引到靠近隧穿層的位置，源極漏極不會導通，不會形成電流。如果無法檢測到電流，那麼說明浮柵層儲存一定量電子，則讀取資料為0。
無數的浮柵電晶體堆疊在一塊就可以儲存大量的0和1，它們就類似於圖書館當中的書架一樣，儲存著無限的0101資料。
總結
相對於機械硬碟這種機械結構，固態硬碟這種純電子結構在存取速度方面的優勢就非常突出,在機械硬碟在讀取資料之前，需要先擺動磁頭臂到對應的磁軌上方，再等待對應的扇區轉過來。儘管目前的機械硬碟大部分都是7200轉/分鐘或者5400轉/分鐘的，看起來已經很快了，但是這兩個操作依然會導致大約十幾毫秒的延遲。這種延遲對於人類來講確實微不足道，但是對於計算機記憶體和CPU來講，就確實會產生顯著影響。而固態硬碟全程都是電子互動，電子訊號的速度要遠超磁頭臂和磁碟這種機械結構。如果你的資料是隨機分散在磁碟的各個角落，那機械硬碟需要經過多次的尋道和定址，多次等待扇區轉動到磁頭底下，所以機械硬碟在讀取分散性檔案的時候，效能就顯得非常弱，速度很慢，即隨機讀寫效能低下。
固態硬碟
SSD （Solid State Drive）
現在固態硬碟大部分都是用 3D NAND 快閃記憶體顆粒
M2（Next Generation FormFactor）
NVMe
NAND 容量大讀寫都快的特點適合做大容量儲存，事實上我們現在的固態硬碟基本都是 3D NAND 快閃記憶體；而 NOR 可以就地執行程式碼和真正隨機訪問的能力，加上很快的讀取速度就非常適合用來裝程式檔案，比如主機板上的 BIOS 通常就是 NOR 快閃記憶體