IMW65R107M1HXKSA1原理圖 MOSFET 650V

IMW65R107M1HXKSA1特點

向穩健的快速體二極體，具有低反向恢復電荷 (Qrr)

更高電流下最佳化的開關行為

低電容

領先的溝槽技術，具有出色的柵極氧化物可靠性

.XT互連技術，實現同類最佳的散熱效能

出色的雪崩耐受能力

搭配標準驅動器

更高電流下最佳化的開關行為

高效能、高可靠性且簡單易用

可實現高系統效率和功率密度

降低系統成本和複雜性

可實現更便宜、更簡單、更小的系統

採用具有連續硬換向功能的拓撲結構

適合高溫和惡劣工作環境

支援雙向拓撲結構

應用：

伺服器、電信、SMPS、太陽能系統、儲能、電池形成、UPS、EV充電、電機驅動器

詳細

英飛凌 MOSFET 650V將碳化矽的物理強度與放大器件的效能、可靠性和易用性等特性相結合。該CoolSiC MOSFET採用先進的溝槽半導體工藝，在應用中損耗極低，執行可靠性高。CoolSiC非常適合用於高溫和惡劣環境應用。

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