rBackup發明專利，徹底解決電容老化帶來的掉電資料保護安全隱患

rBackup （ Rapid Backup) 提供了一種將資料從 DDR 快速寫入到 Nand Flash 的技術，與正常掉電保護相比，此項技術的發明是為了應對 SSD 上鉭電容或超級電容隨時間推移而老化至無法達到初始設計電量從而無法真正起到斷電保護作用而發明的一項技術。

技術背景：

    為了提升 SSD 效能，目前市面主流的 SSD 都會採用 SDRAM 或者 DDR 做快取，為了應對異常斷電後 DDR 中資料丟失甚至是對映表丟失等問題，通常 SSD 廠商會使用鉭電容或者超級電容做斷電保護，當遭遇異常斷電的情況，鉭電容或超級電容提供足夠的電量供 DDR 中資料被完全寫入 Nand Flash ，從而保證資料的完整性。

      人們總是解決了一箇舊的問題，從而帶來一個新的問題。這個看似不錯的效能和可靠性相容的解決方案其實隱藏著巨大的安全隱患。

    鉭電容或者超級電容都會隨充放電次數的增加或者時間的推移而逐步老化， SSD 的廠商保修時間或者使用壽命通常會在 3-5 年，顯然，這個保修時間並未考慮到電容的老化問題，假設，當鉭電容因為老化只能提供初始設計電量的 50% 時，如何可以保證 SSD 在遭遇異常斷電後 SDRAM 中的所有資料可以有足夠的電量寫入 Nand Flash ？如果電量不足，可能會導致如下的嚴重故障：

1 、導致更新中的對映表丟失，從而導致 SSD 完全失效；

2 、導致 SDRAM 中的資料丟失；

3 、如果多次異常斷電，可能會導致假性新增壞塊快速增加；

這些潛在隱患對 SSD 的可靠性是嚴重的安全隱患，在關鍵的應用領域，可能會導致災難性事件的發生。

領存 rBackup 發明技術解決這一安全隱患，利用 rBackup 技術，可以將 DDR 寫入 Nand Flash 的所需時間減少 50%-70% ，《一種異常斷電時固態硬碟資料快速備份的方法及系統》的發明專利詳細闡述了實現的方法。