本文思維導圖總綱：
綜述
關於ubi子系統，早已有比較正式的介紹，也提供非常形象的介紹ubi子系統ppt
國內的前輩 alloysystem 不辭辛勞為我們提供了部分正式介紹的中文譯文，以及找不到原文的轉載譯文
感謝這些資料讓我迅速入門ubi，進而整理出這博文
此博文是對上文的總結以及中文譯文的補充
概念對比
UBI Vs. MTD
上圖非常形象地描述了從Flash到UBIFS的各個層次。從上圖我們發現，MTD子系統在實際的Flash驅動之上 ，而UBI子系統則在MTD子系統之上。
要對比UBI和MTD的概念，我們不妨問自己一個問題，UBI和MTD兩個不同的層次的"使命"分別是什麼？
Flash驅動直接操作裝置，而MTD在Flash驅動之上，向上呈現統一的操作介面。所以MTD的"使命"是 遮蔽不同Flash的操作差異，向上提供統一的操作介面 。
UBI基於MTD，那麼UBI的目的是什麼呢？ 在MTD上實現nand特性的管理邏輯，向上遮蔽nand的特性 。
nand有什麼特性呢？
（下文描述的 Nand驅動，是廣義上的操作Nand的集合，包括fs/ubi/mtd的層次，而非純粹的nand驅動）
1. 操作最小單元為頁(Page)/塊(Block)
Nand不同於Nor，Nor可以以位元組為單位操作Flash，但Nand的讀寫最小單元是頁，擦除最小單元是塊。
對常見的1Gbit的spinand而言，其頁大小2KBytes，塊大小是128K，表示一個塊有64個頁。
2. 擦除壽命限制
Nand的物理性質決定了其每個塊都有擦除壽命的限制，SLC約10W次，MLC約5000次，TLC約1000次。
因此，Nand驅動必須要做到磨損平衡。
所謂磨損平衡，就是儘可能均衡使用每一個塊，既不讓一個塊太大壓力，也不讓一個塊太過空閒。
3. 位翻轉(bit-flips)
Nand的物理性質使其可能會在使用、儲存過程中出現位翻轉的現象。
例如，原始資料為0xFFFC，在儲存過程中Flash的資料卻變成了0xFFFF。
所以要不在nand內部，要不在nand控制器都會存在ecc校正模組，在位翻轉後校正。
然而，ecc並不是萬能的，其校正能力有限，所以驅動必須在位翻轉數量進一步變多之前把資料搬移到其他塊。
萌新可能會有疑問，ecc都已經校正了為什麼還要搬移？因為ecc校正的是從Flash中讀到記憶體中的資料，
而不是Flash本身儲存的資料，換句話說，此時Flash中的資料依然是錯的，如果不搬移，隨著翻轉的位數量積累，
ecc就校正不了了，此時就相當於永久丟失正確資料了。
4. 存在壞塊(Bad Block)
製作工藝和Nand本身的物理性質，導致在出廠和正常使用過程中都會產生壞塊。
所謂壞塊，就是說這個塊已經損壞，不能再用於儲存資料，因此Nand驅動需要能自動跳過壞塊。關於SLC/MLC/TLC的比較，可參考這篇部落格
UBI Vs. UBIFS
如果說UBI在MTD之上，在FS之下的中間層，用於抽象MTD遮蔽nand差異，那麼ubifs就是正兒八經的檔案系統。
ubifs是基於UBI子系統的檔案系統，實現檔案系統該有的所有基本功能，例如檔案的實現，例如日誌的實現。
這裡需要特別注意的是，ubifs跟jffs/yaffs相比，並不包含nand特性的管理，而是交由ubi來實現。
UBI Vs. Block Layer
Block Layer是適用於常見塊裝置的通用塊層，其特有的概念有bio、request、電梯演算法等，其典型的裝置有磁碟、SSD、mmc等。
而ubi基於mtd，雖然能模擬塊裝置，從本質上來講其並不是塊裝置。跟蹤UBIFS的IO操作，發現其IO操作並不經過通用塊裝置層。
UBI Vs. FTL
FTL（Flash Translation Layer）是一個"黑盒子"，其跟UBI非常像，都是對nand特性進行封裝。
按我的理解，UBI跟FTL的目標不同，導致其實現上會有差異。UBI遮蔽nand特性是為了對接UBIFS，而FTL則是為了對接Block Layer。例如MMC其實也是封裝起來的Nand，只不過在MMC內部實現了FTL，經過FTL的轉換就能以塊裝置層的方法直接操作Nand，就能在mmc上格式化常見的塊檔案系統，例如EXT、VFAT等。
UBI Volume Vs. UBI Device
在UBI中還有兩個概念，分別是UBI卷(UBI Volume)和UBI裝置(UBI Device)。這兩個概念，我們可以這麼理解：
UBI裝置 相當於 磁碟裝置(sda,mmcblk0)
UBI卷 相當於 磁碟上對應分割槽(sda1,mmcblk0p1)換句話說，UBI裝置是在MTD裝置上建立出來的裝置，而UBI卷則是從UBI裝置上劃分出來的分割槽， 從裝置節點名（ubi0）和卷名（ubi0_3）可以看出端倪。
上面的描述是為了方便理解UBI卷和UBI裝置，實際上UBI卷和分割槽的概念之間還是有差別的。
LEB Vs. PEB
在UBI子系統中，還有LEB和PEB的概念：
LEB指Logical Erase Block，即邏輯擦除塊，簡稱邏輯塊，表示邏輯卷中的一個塊
PEB指Physical Erase Block，即物理擦除塊，簡稱物理塊，表示物理Nand中的一個塊為什麼要劃分邏輯塊和物理塊？從PPT中我們可以發現，物理塊和邏輯塊存在動態對映關係，且由於UBI頭的存在，邏輯塊一般會比物理塊小2個頁。
UBI子系統扮演的角色及其作用
UBI子系統就是ubifs與mtd之間的中間層，其向下連線MTD裝置，實現nand特性的管理邏輯，向上呈現無壞塊的卷。
所以UBI子系統的作用，主要包括兩點：
1. 遮蔽nand特性（壞塊管理、磨損平衡、位翻轉）
2. UBI卷的實現UBI卷的邏輯擦除塊(LEB)與物理擦除塊(PEB)之間是動態對映的，詳細可以看PPT
UBI相關的工具
ubi的工具整合在包mtd-utils中，分別有以下工具及其作用
| 工具 | 作用 |
|---|---|
| ubinfo | 提供ubi裝置和卷的資訊 |
| ubiattach | 連結MTD裝置到UBI並且建立相應的UBI裝置 |
| ubidetach | ubiattach相反的操作，將MTD裝置從UBI裝置上去連結 |
| ubimkvol | 從UBI裝置上建立UBI卷 |
| ubirmvol | 從UBI裝置上刪除UBI卷 |
| ubiblock | 管理UBI捲上的block |
| ubiupdatevol | 更新卷，例如OTA直接更新某個分割槽映象 |
| ubicrc32 | 使用與ubi相同的基數計算檔案的crc32 |
| ubinize | 製作UBI映象 |
| ubiformat | 格式化空的Flash裝置，擦除Flash，儲存擦除計數，寫入UBI映象到Flash |
| mtdinfo | 報告從系統中找到的UBI裝置的資訊 |
UBI頭部
UBI子系統需要往每個物理塊的開頭寫入兩個關鍵資料，這兩個關鍵資料就叫做UBI的頭部。
這兩個資料分別是 此物理塊擦除次數頭 和 此物理塊的邏輯卷標記頭，也分別稱為 EC頭(Erase Count) 和 VID頭(Volume IDentifier)。
不管是EC頭還是VID頭，都是64Bytes，分別記錄與Nand塊的第一個頁和第二個頁。
以Q&A的形式介紹UBI頭：
Q：為什麼要這兩個頭？
A：前文有說道，nand每個block有擦除壽命限制，因此需要記錄擦除次數，以實現磨損平衡，因此需要EC頭。此外，為了實現卷，必須記錄卷的邏輯塊與物理塊之間的對映關係，因此需要VID頭。
Q：為什麼不合併成1個頭？
A：兩者寫入的時機不一致，導致兩個頭必須分開寫入。EC頭在每次擦除後，必須馬上寫入以避免丟失，而VID頭只有在對映卷後才會寫入。
Q：不管是EC頭還是VID頭都是64B，為什麼要用2個Page？
A：使用2個Page是對Nand來說的。前文有說過，Nor的讀寫最小單元是Byte，而Nand的讀寫最小單元是Page，因此對Nor可以只使用64Bytes，對Nand則必須使用2個Page，就是說，即使只有64Bytes有效資料，也需要用無效資料填充滿1個Page一次性寫入。
Q：在記錄擦除次數時掉電等，導致丟失實際擦除次數怎麼辦？
A：取所有物理塊的擦除次數的平均數關於UBI頭部的詳細介紹，可參考連結
UBI卷表(UBI Volume Table)
UBI子系統有個對使用者隱藏的特殊卷，叫層卷(layout volume)，用來記錄卷表。我們可以把卷表等價於分割槽表，記錄各個卷的資訊。卷表大小為2個邏輯擦除塊，每個邏輯擦除塊記錄一份卷表，換句話說，UBI子系統為了保證卷表的可靠性，用2個邏輯記錄2分卷標資訊。
由於層卷的大小是固定的（2個邏輯塊）,導致能儲存的卷資訊受限，所以最大支援的卷數量是隨著邏輯塊的大小改變而改變的，但最多不超過128個。
卷表中每個卷都儲存了什麼資訊？
struct ubi_vtbl_record {
__be32 reserved_pebs; //物理塊數量
__be32 alignment; //卷對齊
__be32 data_pad;
__u8 vol_type; //靜態卷or動態卷標識
__u8 upd_marker; //更新標識
__be16 name_len; //卷名長度
__u8 name[UBI_VOL_NAME_MAX+1]; //卷名
__u8 flags; //常用語自動重分配大小標記
__u8 padding[23]; //保留區域
__be32 crc; //卷資訊的CRC32校驗值
} __packed;由這個結構體我們可以發現，卷資訊是被CRC32保護著的。比較有意思的有兩個成員：vol_type 和 flags
動態卷 & 靜態卷
vol_type成員標記了卷的型別，在建立卷時指定，可選動態卷和靜態卷。那麼什麼是動態卷？什麼又是靜態卷？
動態卷和靜態卷是兩種卷的型別，靜態卷標記此卷只讀，於是UBI子系統使用CRC32來校驗保護整個卷的資料，動態卷是可讀寫的卷，資料的完整性由檔案系統來保證。
關於靜態卷和動態卷的介紹，可參考連結
更新標識
flags成員常用於標識是否自動重分配大小。怎麼樣自動充分配大小呢？在首次執行時自動resize卷，讓卷大小覆蓋所有未使用的邏輯塊。
例如Flash大小是128M，在燒錄的映象中分配的所有卷加起來只用了100M，如果有卷被表示為autoresize，那麼在首次執行時，那個卷會自動擴大，把剩餘的28M囊括在內。
這個功能挺實用的，例如某個方案規劃中，除去rootfs、核心等必要空間外，把剩餘所有空間儘可能分配給使用者資料分割槽。
在開發過程中加了個應用，導致rootfs卷需要更大的空間，進而需要壓縮user_data卷的空間。
如果user_data空間是autoresize的，那麼user_data卷的空間就會自動壓縮。
再例如舊方案用的是128M的nand，後面升級為256M，即使使用相同的韌體，也不用擔心多出來的128M浪費掉了，
因為user_data卷自動擴大囊括多出來的128M。
需要注意的是，只允許1個卷設定autoresize標誌
關於更新標識更多的介紹，參考連結
壞塊標記
我們知道Nand的物理性質，導致在使用久之後會產生壞塊，那麼UBI是如何判斷好塊是否變成了壞塊的呢？
有兩個場景可能會標識壞塊，分別是寫失敗和擦除失敗。擦除失敗且返回是EIO，則直接標記壞塊。比較有意思的是寫失敗的判斷邏輯。
UBI子系統有後臺程式對疑似的壞塊進行"嚴刑拷打"(torturing)，有5個步驟：
1. 擦除嫌疑壞塊
2. 讀取擦除後的值，判斷是否都是0xFF（擦除後理應全為0xFF）
3. 寫入特定資料
4. 讀取並校驗寫入的資料
5. 以不同的資料模式重複步驟1-4如果"嚴刑拷打"出問題，則標記壞塊，詳細的實現邏輯可參考函式torture_peb()
原文可參考連結
UBI管理開銷
什麼是管理開銷呢？為了管理Nand的空間，實現磨損平衡、壞塊管理等等功能，必須佔用一部分空間來儲存關鍵資料，就好像檔案系統的後設資料。管理佔用的空間是不會呈現給使用者空間使用的，這空間即為管理的開銷。
對Nand來說，UBI管理開銷主要包含5個部分：
1. 層卷(卷表) ： 佔用兩個物理塊
2. 磨損平衡：佔用一個物理塊
3. 邏輯塊修改原子操作：佔用一個物理塊
4. 壞塊管理：預設每1024個塊則預留20個塊（核心引數可配：CONFIG_MTD_UBI_BEB_LIMIT）
5. UBI頭：（物理塊總數*2）個頁壞塊管理預留的塊數量，也可以理解為最大能容納多少個壞塊；再考慮壞塊的存在，管理開銷計算公式為：
UBI管理總開銷 = 特性開銷 + UBI頭開銷
其中：
壞塊預留 = MAX(壞塊數量，壞塊管理預留數量)
特性開銷 = (壞塊預留 + 1個磨損平衡開銷 + 1個原子操作開銷 + 2個層捲開銷) * 物理塊大小
UBI頭開銷 = 2 * 頁大小 * (含壞塊的總塊數 - 壞塊預留 - 1個磨損平衡開銷 + 1個原子操作開銷 + 2個層捲開銷)
也就是說：
UBI管理總開銷 = (壞塊預留 + 4) * 物理塊大小 + 2 * 頁大小 * (含壞塊的總塊數 - 壞塊預留 - 4)以128M的江波龍的FS35ND01G-S1F1 SPI Nand為例，其規格為：
總大小：128M（1Gbit）
頁大小：2K bytes
塊大小：128K
塊數量：1024假設是完全無壞塊的片子，其管理開銷為：
UBI管理開銷 = (20 + 4) * 128K + 2 * 2K * (1024 - 20 - 4) = 7072K ≈ 7M詳細參考原文連結