隨著嵌入式行業的快速發展，ARM核心板、ARM工控板得到越來越廣泛的應用。ARM核心板將主控制器（MPU）、記憶體、儲存、電源管理等關鍵器件打包成的一個最小系統，完善的作業系統及驅動可以極大縮短專案開發週期。本文將簡單闡述如何正確選擇合適的儲存型別。

圖 1 HD6Q-CORE

當前ARM核心板所用到的儲存（電子硬碟）大體分為兩類：Nand flash和eMMC。Nand flash儲存器是flash儲存器的一種，使用複雜的I/O口來序列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同 ，一般是8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。

eMMC 本質上還是Nand flash ，eMMC=Nand flash +快閃記憶體控制晶片+標準介面封裝，其內部整合的快閃記憶體控制器具有讀寫協議、擦寫均衡、壞塊管理、ECC校驗、電源管理、時鐘管理、資料存取等功能，極大降低了Nand-flash的使用難度。

一般來講，當主控制效能較低時（如ARM9、Cortex-A7），其所搭配的儲存容量也較低，在256M、512M時通常選擇Nand flash。當主控制效能較高時（如Cortex-A9、Cortex-A53），其所搭配的儲存容量也較高，在4GB、8GB甚至32GB時eMMC將更具價效比。

圖 2 NAND Flash與eMMC

只知道Nand flash和eMMC之間的簡單區別，還不足以選擇好儲存，接下來我們看一下Nand flash快閃記憶體顆粒對效能、安全及價格方面的影響。

Nand flash快閃記憶體顆粒主要包括四種型別：SLC、MLC、TLC、QLC。

第一代SLC（Single-Level Cell）每單元可儲存1位元資料(1bit/cell)，效能好、壽命長，可經受10萬次程式設計/擦寫迴圈，但容量低、成本高，市場上用的比較少；
第二代MLC（Multi-Level Cell）每單元可儲存2位元資料(2bits/cell)，效能、壽命、容量、成各方面比較均衡，可經受1萬次程式設計/擦寫迴圈，目前主流的核心板廠商大都配置該型別的儲存；
第三代TLC（Trinary-Level Cell）每單元可儲存3位元資料(3bits/cell)，效能、壽命變差，只能經受3千次程式設計/擦寫迴圈，但是容量可以做得更大，成本也可以更低，大多數固態硬碟的選擇；
第四代QLC（Quad-Level Cell）每單元可儲存4位元資料(4bits/cell)，效能、壽命進一步變差，只能經受1000次程式設計/擦寫迴圈，但是容量更容易提升，成本也繼續降低。

圖 3 SLC、MLC、TLC、QLC儲存圖示

綜合以上情況，若是用於一般性工業或商業應用的ARM核心板，搭載價效比較高的MLC NAND即可；若專案對資料、系統的要求極高，則需要選擇SLC儲存方案的ARM核心板，最大程度的降低因儲存導致的系統崩潰或關鍵資料丟失。

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圖 4 明星產品

如何正確選擇ARM核心板、ARM工控板的儲存型別？

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