1.7.5_NandFlash的擦除與燒寫_P

江左的豪富發表於2020-11-02
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有了前面的基礎，擦除和燒寫也是類似的。

下圖是燒寫的時序圖。
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  1. 發出0x80命令；
  2. 發出五個地址訊號；
  3. 寫入資料；
  4. 發出0x10命令；
  5. 等待燒寫完成。

需要注意的是，nand一次只能燒寫一頁資料，超過一頁資料時需要重新傳送進行一次燒寫過程，擦除則是一次一塊。

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下圖是擦除的時序圖。
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  1. 傳送0x60命令；
  2. 傳送三個位元組的頁地址；
  3. 傳送0xD0命令；
  4. 等待擦除完成。

另外，再說一下位反轉現象出現的主要原因：

  1. 漂移效應（Drifting Effects）：隨著時間流逝，Nand Flash中cell的電壓值變得和原來不一樣了；
  2. 過渡程式設計效應，對某個頁面的程式設計操作，即寫操作，引起非相關的其他的頁面某個位跳轉；
  3. 讀操作產生的錯誤，對某個頁進行讀操作，導致對應的某個位的資料發生了永久性變化，即Nand Flash上該位的值變了。

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