IC Insights 對半導體行業最新的資本支出預測顯示 ，今年NAND快閃記憶體資本支出將增長8%，達到299億美元，超過2018年278億美元的歷史新高。快閃記憶體資本支出在2017年飆升，當時該行業開始向3D NAND轉型，此後每年都超過200億美元。2022年，快閃記憶體的資本支出預計將增至299億美元，因為大型供應商和小型供應商將保持適度激進的支出水平。

299億美元的支出佔2022年整個IC行業資本支出預測（1904億美元）的16%，僅落後於晶圓代工部門（41%）。

新的和最近升級的NAND快閃記憶體工廠包括三星的 Pyeongtaek Lines1和2；三星在中國西安的二期投資；鎧俠在日本巖手的Fab6(Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家快閃記憶體工廠。此外，SK 海力士也投資了NAND快閃記憶體。

在預測期內，隨著NAND快閃記憶體供應商準備從2022年底到2023年進入200層以上裝置的競爭，他們需要新的晶圓廠和新裝置。三星和美光可能是第一個開始量產的公司。兩家公司以及 SK 海力士目前都在量產176層 NAND。三星位於中國西安的晶圓廠是領先的NAND製造基地，擁有兩個晶圓廠，每個晶圓廠全面投產後每月可生產120,000片晶圓。隨著對企業儲存應用的日益關注，SK 海力士預計將在2023年遷移到196層。