十六、FLASH快閃記憶體

十四、FLASH快閃記憶體

FLASH簡介

• STM32F1系列的FLASH包含程式儲存器、系統儲存器和選項位元組三個部分，透過快閃記憶體儲存器介面（外設）可以對程式儲存器和選項位元組進行擦除和程式設計

  快閃記憶體儲存器介面是一個外設，是這個快閃記憶體的管理員，把我們的指令和資料，寫入到這個外設的相應暫存器，然後這個外設就會自動去操作對應的儲存空間。

• 讀寫FLASH的用途：

  1. 利用程式儲存器的剩餘空間來儲存掉電不丟失的使用者資料

     它的程式儲存器容量是 64K，一般我們寫個簡單的程式，可能就只佔前面的很小一部分空間，剩下的大片空餘空間，我們就可以加以利用。比如儲存一些我們自定義的資料

     注意：我們在選取儲存區域時，一定不要覆蓋了原有的程式，要不然程式自己把自己給破壞了，之後程式就執行不了了。

  2. 透過在程式中程式設計（IAP），實現程式的自我更新

     利用程式，來修改程式本身，實現程式的自我更新。

• 線上程式設計（In-Circuit Programming – ICP）用於更新程式儲存器的全部內容，它透過JTAG、SWD協議或系統載入程式（Bootloader）下載程式

• 在程式中程式設計（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支援的任一種通訊介面下載程式

  首先需要自己寫一個 BootLoader 程式，並且存放在程式更新時不會覆蓋的地方，比如我們放在整個程式儲存器的後面。

  需要更新程式時，我們控制程式跳轉到這個自己寫的 BootLoader 裡來，在這裡面，我們就可以接收任意一種通訊介面傳過來的資料，比如串列埠、USB、藍芽轉串列埠、WIFI 轉串列埠等等，這個傳過來的資料，就是待更新的程式

  控制 FLASH 讀寫，把收到的程式，寫入到整個程式儲存器的前面程式正常執行的地方，寫完之後，再控制程式跳轉回正常執行的地方，或者直接復位，這樣程式就完成了自我升級。

注意：在程式設計過程中，任何讀寫快閃記憶體的操作都會使 CPU 暫停，直到此次快閃記憶體程式設計結束。這其實是讀寫內部快閃記憶體儲存資料的一個弊端，就是快閃記憶體忙的時候，程式碼執行會暫停，因為執行程式碼需要讀快閃記憶體，快閃記憶體在忙，沒法讀，所以 CPU 也就沒法執行了，程式就會暫停，這會導致什麼問題呢？假如你使用內部快閃記憶體儲存資料，同時你的中斷程式碼又是在頻繁執行的，這樣，讀寫快閃記憶體的時候，中斷程式碼就無法執行了，這可能會導致中斷無法及時響應

快閃記憶體模組組織(中容量)

這個表是中容量產品的快閃記憶體分配情況。我們 C8T6 晶片的快閃記憶體容量是 64K，屬於中容量產品。對於小容量產品和大容量產品，快閃記憶體的分配方式有些區別，這個可以參考一下手冊。

首先看一下第一列的幾個塊，這裡分為了 3 個塊，

1. 主儲存器：也就是程式儲存器，用來存放程式程式碼的，這是最主要，也是容量最大的一塊。

   對他進行了分頁，分頁是為了更好的管理快閃記憶體。每頁的大小都是 1K，0~127，總共 128 頁，總容量就是 128K，對於 C8T6 來說，它只有 64K，所以 C8T6 的頁只有一半，0~63，總共 64 頁，共 64K。

   擦除和防寫，都是以頁為單位的，寫入前必須擦除，擦除必須以最小單位進行，擦除後資料位全變為 1，資料只能 1 寫 0，不能 0 寫 1，擦除和寫入之後都需要等待忙

   頁的地址範圍：

   • 第一個頁的起始地址就是程式儲存器的起始地址，0x0800 0000，之後就是一個位元組一個地址，依次線性分配了。
   • 每頁起始地址的規律，首先是 0000，然後 0400、0800、0C00，再之後，1000，後面按照規律，就是 1400、1800、1C00、2000、2400、2800、2C00 等等等等，最後一直到 1 FC00，所以地址只要以 000、400、800、C00 結尾的都一定是頁的起始地址，之後如果想要給一個頁的起始地址，就需要用到這個規律。

2. 資訊塊

   • 啟動程式程式碼：存放的是原廠寫入的 BootLoader，用於串列埠下載

     起始地址是 0x1FFF F000，他的容量是 2K

   • 使用者選擇位元組：也就是選項位元組，存放一些獨立的引數，這個選項位元組

     起始地址是 0x1FFF F800，容量是 16 個位元組，裡面只有幾個位元組的配置引數，這個後面還會繼續說的

3. 快閃記憶體儲存器介面暫存器：這一塊的儲存器，實際上並不屬於快閃記憶體，地址都是 40 開頭的，說明這個儲存器介面暫存器就是一個普通的外設，他的儲存介質，也都是 SRAM。這個快閃記憶體儲存器介面，就是上面這些快閃記憶體的管理員，這些暫存器，就是用來控制擦除和程式設計這個過程的。

   KEYR 鍵暫存器，SR 狀態暫存器，CR 控制暫存器等等常用暫存器

   外設的起始地址是 0x4002 2000，每個暫存器都是 4 個位元組，也就是 32 位

FLASH基本結構

這裡程式儲存器以 C8T6 為例，它是 64K 的，所以總共只有 64 頁，最後一頁的起始地址是 0800 FC00。

左邊是快閃記憶體儲存器介面，手冊裡還有個名稱，快閃記憶體程式設計和擦除控制器（FPEC），這兩個名稱是一個東西。然後這個控制器，就是快閃記憶體的管理員，它可以對程式儲存器進行擦除和程式設計，也可以對選項位元組進行擦除和程式設計。當然系統儲存器是不能擦除和程式設計的。

選項位元組，裡面有很大一部分配置位，其實是配置主程式儲存器的讀防寫的，所以右邊畫的，寫入選項位元組可以配置程式儲存器的讀防寫

FLASH解鎖

• FPEC共有三個鍵值：

  1. RDPRT鍵 = 0x000000A5

     解除讀保護

  2. KEY1 = 0x45670123

  3. KEY2 = 0xCDEF89AB

     KEY1和KEY2解除防寫

• 解鎖：

  1. 復位後，FPEC被保護，不能寫入FLASH_CR

  2. 在FLASH_KEYR先寫入KEY1，再寫入KEY2，解除防寫

     要先寫入 KEY1 ，再寫入 KEY2 ，最終才能解除防寫。

     所以這個鎖的安全性非常高，有兩道鎖，即使你程式跑飛了也基本不可能解鎖

  3. 錯誤的操作序列會在下次復位前鎖死FPEC和FLASH_CR

     一旦沒有先寫入 KEY1，再寫入 KEY2，整個模組就會完全鎖死，除非復位

• 加鎖：設定FLASH_CR中的LOCK位鎖住FPEC和FLASH_CR

  就是控制暫存器裡面有個 LOCK 位，我們在這一位寫 1，就能重新鎖住快閃記憶體了。

使用指標訪問儲存器

#define    __IO    volatile

// 使用指標讀指定地址下的儲存器：
uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));

// 使用指標寫指定地址下的儲存器：
*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;

volatile，是一個安全保障措施，在程式邏輯上，沒有作用，加上這個關鍵字的目的，用一句話來說，就是防止編譯器最佳化。

快閃記憶體全擦除

把所有頁，都給擦除掉。

1. 讀取 LOCK 位，看一下晶片鎖沒鎖。如果 LOCK 位 = 1，R鎖住了，就執行解鎖過程，解鎖過程就是在 KEYR 暫存器，先寫入 KEY1，再寫入 KEY2；但是在庫函式中，並沒有這個判斷，庫函式是直接執行解鎖過程，管你鎖沒鎖，都執行解鎖，這個比較簡單直接，不過效果都一樣。
2. 解鎖之後，首先，置控制暫存器裡的 MER（Mass Erase）位為 1，然後再置 STRT（Start）位為 1，其中置 STRT 為 1 是觸發條件，STRT 為 1 之後，晶片開始幹活，然後晶片看到 MER 位是 1，它就知道，接下來要乾的活就是全擦除，這樣內部電路就會自動執行全擦除的過程。
3. 擦除也是需要花一段時間的，所以擦除過程開始後，程式要執行等待。判斷狀態暫存器的 BSY（Busy）位是否為 1，BSY 位表示晶片是否處於忙狀態，BSY 為 1，表示晶片忙，所以這裡，如果判斷 BSY = 1，就跳轉回來，繼續迴圈判斷，直到 BSY = 0，跳出迴圈，這樣全擦除過程就結束了。
4. 最後一步，這裡寫的是，讀出並驗證所有頁的資料，這個是測試程式才要做的，正常情況下，全擦除完成了，我們預設就是成功了。如果還要再全讀出來驗證一下，這個工作量太大了，所以這裡的最後一步，我們就不管了。

快閃記憶體頁擦除

STM32 的快閃記憶體也是寫入前必須擦除。擦除之後，所有的資料位變為 1，擦除的最小單位就是一頁，1K，1024 位元組。

這個也是類似的過程。

1. 解鎖的流程

2. 置控制暫存器的 PER（Page Erase）位為 1，然後在 AR（Address Register）地址暫存器中選擇要擦除的頁，最後，置控制暫存器的 STRT 位為 1，置 STRT 為 1，也是觸發條件

   STRT 為 1，晶片開始幹活，然後晶片看到，PER = 1，他就知道接下來要執行頁擦除，但是晶片要知道要具體擦哪一頁，所以，它會繼續看 AR 暫存器的資料，AR 暫存器我們要提前寫入一個頁的起始地址，這樣晶片就會把我們指定的一頁，給擦除掉。

3. 然後擦除開始之後，我們也需要等待 BSY 位。

4. 最後，讀出並驗證資料，這個就不用看了。

快閃記憶體寫入

注意：STM32 的快閃記憶體再寫入之前會檢查指定地址有沒有擦除，如果沒有擦除就寫入，STM32 則不執行寫入操作，除非寫入的全是 0，這一個資料是例外，因為不擦除就寫入，可能會寫入錯誤，但全寫入 0 的話，寫入肯定是沒問題的。

1. 第一步，也是解鎖。

2. 第二步，我們需要置控制暫存器的 PG（Programming）位為 1，表示我們即將寫入資料。

3. 第三步，在指定的地址寫入半字，需要用到使用指標訪問儲存器的 *((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234; 這句程式碼在指定地址寫入資料。寫入資料這個程式碼，就是觸發開始的條件，不需要像擦除一樣，置 STRT 位了。

   注意：寫入操作，只能以半字的形式寫入。

   在 STM32 中，有幾個術語，字、半字和位元組，

   • 字，Word，是 32 位資料；

   • 半字，HalfWord，是 16 位資料；

   • 位元組，Byte，是 8 位資料，

   那這裡只能以半字寫入，意思就是隻能以 16 位的形式寫入，一次性，寫入兩個位元組；

   如果你要寫入 32 位，就分兩次完成；

   如果想單獨寫入一個位元組，還要保留另一個位元組的原始資料的話，就只能把整頁資料都讀到 SRAM，再隨意修改 SRAM 資料，修改全部完成之後，再把整頁都擦除，最後再把整頁都寫回去。

   所以，如果你想像 SRAM 一樣隨心所欲地讀寫，那最好的辦法就是先把快閃記憶體的一頁讀到 SRAM 中，讀寫完成後，再擦除一頁，整體寫回去。那回到流程圖這裡

4. 寫入半字之後，晶片會處於忙狀態，我們等待一下 BSY 清零，這樣寫入資料的過程就完成了。

選項位元組

選項位元組介紹

• RDP：寫入RDPRT鍵（0x000000A5）後解除讀保護
• USER：配置硬體看門狗和進入停機/待機模式是否產生復位
• Data0/1：使用者可自定義使用
• WRP0/1/2/3：配置防寫，每一個位對應保護4個儲存頁（中容量）

這裡是對應的 16 個位元組，其中有一半的名稱，前面都帶了個 n，比如 RDP 和 nRDP，USER 和 nUSER，等等，這個意思就是你在寫入 RDP 資料時，要同時在 nRDP 寫入資料的反碼，其他的這些都是一樣，寫入這個儲存器時，要在帶 n 的對應的儲存器寫入反碼，這樣寫入操作才是有效的，如果晶片檢測到這兩個儲存器不是反碼的關係，那就代表資料無效，有錯誤，對應的功能就不執行，這是一個安全保障措施。

每個儲存器的功能，去掉所有帶 n 的，就剩下 8 個位元組儲存器了。

• RDP（Read Protect），是讀保護配置位，下面有解釋，在 RDP 暫存器寫入 RDPRT 鍵，就是剛才說的 A5，然後解除讀保護；如果 RDP 不是 A5，那快閃記憶體就是讀保護狀態，無法透過偵錯程式讀取程式，避免程式被別人竊取。

• USER，這個是一些零碎的配置位，可以配置硬體看門狗和進入停機/待機模式是否產生復位，這個瞭解即可。

• 第三個和第四個位元組，Data0 和 Data1，這個在晶片中沒有定義功能，使用者可自定義使用。

• WRP（Write Protect）0、1、2、3，這四個位元組，配置的是防寫。

  在中容量產品裡，是每一個位對應保護 4 個儲存頁，4 個位元組，總共 32 位，一位對應保護 4 頁，總共保護 32*4 = 128 頁，正好對應中容量的最大 128 頁。

  對於小容量產品，也是每一位對應保護 4 個儲存頁，但是小容量產品最大隻有 32K，所以只需要一個位元組 WRP0 就行，4*8 = 32，其他 3 個位元組沒用到。

  對於大容量產品，每一個位只能保護 2 個儲存頁，這樣的話 4 個位元組就不夠用了，所以這裡規定 WRP3 的最高位，這一位直接把剩下的所有頁一起都保護了，這是防寫的定義。

擦除選項位元組

1. 解鎖快閃記憶體

2. 檢查FLASH_SR的BSY位，以確認沒有其他正在進行的快閃記憶體操作

3. 解鎖FLASH_CR的OPTWRE位

   解鎖 CR 的 OPTWRE（Option Write Enable）位，這一步是選項位元組的解鎖，選項位元組裡面還有一個單獨的鎖，在解鎖快閃記憶體後，還需要再解鎖選項位元組的鎖，之後才能操作選項位元組。

   解鎖選項位元組的話，看一下快閃記憶體模組組織的暫存器，整個快閃記憶體的鎖是 KEYR，裡面選項位元組的小鎖，是下面的 OPTKEYR（Option Key Register），解鎖這個小鎖，也是類似的流程，我們需要在 OPTKEYR 裡，先寫入 KEY1，再寫入 KEY2，這樣就能解鎖選項位元組的小鎖了。

4. 設定FLASH_CR的OPTER位為1

5. 設定FLASH_CR的STRT位為1

6. 等待BSY位變為0

7. 讀出被擦除的選擇位元組並做驗證

寫入選項位元組

1. 解鎖快閃記憶體
2. 檢查FLASH_SR的BSY位，以確認沒有其他正在進行的程式設計操作
3. 解鎖FLASH_CR的OPTWRE位
4. 設定FLASH_CR的OPTPG位為1
5. 寫入要程式設計的半字到指定的地址
6. 等待BSY位變為0
7. 讀出寫入的地址並驗證資料

和普通的快閃記憶體寫入也差不多，先檢測 BSY；然後解除小鎖；之後設定 CR 的 OPTPG（Option Programming）位為 1，表示即將寫入選項位元組；再之後，寫入要程式設計的半字到指定的地址，這個是指標寫入操作；最後，等待忙。這樣寫入選項位元組就完成了。

器件電子簽名

電子簽名存放在快閃記憶體儲存器模組的系統儲存區域，包含的晶片識別資訊在出廠時編寫，不可更改，使用指標讀指定地址下的儲存器可獲取電子簽名

電子簽名，其實就是 STM32 的 ID 號，它的存放區域是系統儲存器，就是 FLASH 基本結構圖中的系統儲存器。它不僅有 BootLoader 程式，還有幾個位元組的 ID 號，系統儲存器，起始地址是 1FFF F000。

• 快閃記憶體容量暫存器：
  地址：0x1FFF F7E0
  大小：16位

• 產品唯一身份標識暫存器：
  地址： 0x1FFF F7E8
  大小：96位

  也就是每個晶片的身份證號。每一個晶片的這 96 位資料，都是不一樣的，使用這個唯一 ID 號，可以做一些加密的操作。

  比如你想寫入一段程式，只能在指定裝置執行，那就可以在程式的多處加入 ID 號判斷，如果不是指定裝置的 ID 號，就不執行程式功能，這樣即使你的程式被盜，在別的裝置上也難以執行。

FLSHA庫函式

/*------------ 功能適用於所有STM32F10x裝置 -----*/
/* 與核心執行程式碼有關 */
void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);

// 解鎖。解除防寫
void FLASH_Unlock(void);

// 解鎖。解除防寫
void FLASH_Lock(void);

// 擦除指定頁
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

// 擦除全部
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);

// 擦除選項位元組
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);

// 在指定地址寫入字
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);

// 在指定地址寫入半字
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);

// 寫入選項位元組的Data0和Data1
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);

// 設定防寫
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);

// 設定讀保護
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);

// 設定選項位元組中USER的三個位：IWDG_SW / RST_STOP / RST_STDBY。
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);

// 獲取選項位元組中USER的三個位：IWDG_SW / RST_STOP / RST_STDBY。
uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);

// 獲取寫保狀態
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);

// 獲取讀保護狀態
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);

// 獲取預期緩衝區狀態
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);

// 中斷使能
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);

// 獲取指定標誌位
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);

// 清除指定標誌位
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);

// 獲取狀態
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);

// 等待忙。也就是等待BSY=0。呼叫擦除、寫入等等庫函式時，內部已經幫我們呼叫過該函式了，不需要我們再呼叫
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);

/*------------ 新功能用於所有STM32F10x器件 -----*/
void FLASH_UnlockBank1(void);
void FLASH_LockBank1(void);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);
FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);
FLASH_Status FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t Timeout);

#ifdef STM32F10X_XL
/*---- 新功能僅適用於STM32F10x_XL大容量器件 -----*/
void FLASH_UnlockBank2(void);
void FLASH_LockBank2(void);
FLASH_Status FLASH_EraseAllBank2Pages(void);
FLASH_Status FLASH_GetBank2Status(void);
FLASH_Status FLASH_WaitForLastBank2Operation(uint32_t Timeout);
FLASH_Status FLASH_BootConfig(uint16_t FLASH_BOOT);
#endif

案例：讀寫FLASH快閃記憶體

接線圖

使用到的函式

// 解鎖。解除防寫
void FLASH_Unlock(void);

// 解鎖。解除防寫
void FLASH_Lock(void);

// 擦除指定頁
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

// 擦除全部
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);

// 在指定地址寫入字
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);

// 在指定地址寫入半字
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);

示例程式碼

main.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "OLED.h"
#include "Store.h"
#include "Key.h"

// 鍵碼
uint8_t Num;

int main()
{
	OLED_Init();
	Store_Init();
	Key_Init();
	OLED_ShowHexNum(1,1,Store_Data[1],4);
	OLED_ShowHexNum(2,1,Store_Data[2],4);
	OLED_ShowHexNum(3,1,Store_Data[3],4);
	OLED_ShowHexNum(4,1,Store_Data[4],4);
	while(1)
	{
		Num = Key_Num();
		if(Num == 1)
		{
			Store_Data[1]++;
			Store_Data[2]+=2;
			Store_Data[3]+=3;
			Store_Data[4]+=4;
			Store_Save();
		}
		
		if(Num == 2)
		{
			Store_Clear();
		}
		OLED_ShowHexNum(1,1,Store_Data[1],4);
		OLED_ShowHexNum(2,1,Store_Data[2],4);
		OLED_ShowHexNum(3,1,Store_Data[3],4);
		OLED_ShowHexNum(4,1,Store_Data[4],4);
	}
}

Flash.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header

// 讀指定地址下的一個位元組
uint8_t Flash_ReadByte(uint32_t Addr)
{
	return *((__IO uint8_t *)(Addr));
}

// 讀指定地址下的一個半字
uint16_t Flash_ReadHalfWord(uint32_t Addr)
{
	return *((__IO uint16_t *)(Addr));
}

// 讀指定地址下的一個字
uint32_t Flash_ReadWord(uint32_t Addr)
{
	return *((__IO uint32_t *)(Addr));
}

// 擦除指定頁
void Flash_ErasurePage(uint32_t Addr)
{
	// 解鎖
	FLASH_Unlock();
	// 擦除頁
	FLASH_ErasePage(Addr);
	// 上鎖
	FLASH_Lock();
}

// 擦除全部
void Flash_ErasureAll()
{
	// 解鎖
	FLASH_Unlock();
	// 擦除全部
	FLASH_EraseAllPages();
	// 上鎖
	FLASH_Lock();
}

// 在指定地址寫入半字
void Flash_WriteHalfWord(uint32_t Addr, uint16_t Data)
{
	// 解鎖
	FLASH_Unlock();
	// 在指定地址寫入半字
	FLASH_ProgramHalfWord(Addr, Data);
	// 上鎖
	FLASH_Lock();
}

// 在指定地址寫入半字
void Flash_WriteWord(uint32_t Addr, uint32_t Data)
{
	// 解鎖
	FLASH_Unlock();
	// 在指定地址寫入字
	FLASH_ProgramWord(Addr, Data);
	// 上鎖
	FLASH_Lock();
}

Flash.h

#ifndef __Flash_H
#define __Flash_H

uint8_t Flash_ReadByte(uint32_t Addr);
uint16_t Flash_ReadHalfWord(uint32_t Addr);
uint32_t Flash_ReadWord(uint32_t Addr);

void Flash_ErasurePage(uint32_t Addr);
void Flash_ErasureAll(void);

void Flash_WriteHalfWord(uint32_t Addr, uint16_t Data);
void Flash_WriteWord(uint32_t Addr, uint32_t Data);
#endif

Store.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Flash.h"

#define STORE_START_ADDRESS		0x0800FC00	// 儲存的起始地址
#define STORE_COUNT				512			// 儲存資料的個數

// 將快閃記憶體中的資料以半字為單位讀取到RAM中
uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];

// 初始化
void Store_Init()
{
	/*判斷是不是第一次使用*/
	// 讀取第一個半字的標誌位，if不成立，則執行第一次使用的初始化
	if(Flash_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) == 0x7777)
	{
		// 將儲存區域的所有資料都讀到Store_Data陣列中
		for(uint16_t i = 0;i < STORE_COUNT; i++)
		{
			Store_Data[i] = Flash_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS + (i * 2));
		}
	}
	else
	{
		// 擦除指定頁
		Flash_ErasurePage(STORE_START_ADDRESS);
		// 在儲存的起始位置寫入自定義的標誌位。下次檢測到該標誌位說明不是第一次使用
		Flash_WriteHalfWord(STORE_START_ADDRESS, 0x7777);
		
		// 將儲存區域的資料全部置0，除了標誌位，因此i從1開始
		for(uint16_t i = 1;i < STORE_COUNT; i++)
		{
			// 每個地址對應一個位元組，而這裡是兩個位元組進行儲存，所以i*2。如果四個位元組進行儲存則乘以四
			Flash_WriteHalfWord(STORE_START_ADDRESS + (i * 2), 0x0000);
		}
	}
}

// 儲存資料
void Store_Save()
{
	// 擦除頁
	Flash_ErasurePage(STORE_START_ADDRESS);
	// 將陣列Store_Data的資料全部寫入快閃記憶體中
	for(uint16_t i = 0;i < STORE_COUNT; i++)
	{
		Flash_WriteHalfWord(STORE_START_ADDRESS +(i * 2), Store_Data[i]);
	}
}

// 資料清零
void Store_Clear()
{
	// 將除了標誌位以外的資料全部清零
	for(uint16_t i = 1;i < STORE_COUNT;i++)
	{
		Store_Data[i] = 0;
	}
	Store_Save();
}

Store.h

#ifndef __Store_H
#define __Store_H

extern uint16_t Store_Data[];

void Store_Init(void);
void Store_Save(void);
void Store_Clear(void);

#endif

Key.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"

// 初始化按鍵
void Key_Init()
{
	RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOB, ENABLE);
	
	GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
	GPIO_InitStruct.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IPU;	// 上拉輸入
	GPIO_InitStruct.GPIO_Pin = GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_11;
	GPIO_InitStruct.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
	GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStruct);
}

// 獲取按鍵鍵碼
uint8_t Key_Num()
{
	uint8_t Num = 0;
	// PB11=0說明按鍵1按下
	if(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB, GPIO_Pin_11) == Bit_RESET)
	{
		Delay_ms(20);
		while(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB, GPIO_Pin_11) == Bit_RESET);
		Num = 1;
	}
	
	// PB1=0說明按鍵2按下
	if(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB, GPIO_Pin_1) == Bit_RESET)
	{
		Delay_ms(20);
		while(GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB, GPIO_Pin_1) == Bit_RESET);
		Num = 2;
	}
	return Num;
}

Key.h

#ifndef __Key_H
#define __Key_H

void Key_Init(void);
uint8_t Key_Num(void);

#endif