TrendForce 集邦諮詢指出，受到車用、工業與通訊需求助力，2021 年第三代半導體成長動能有望高速回升。其中又以 GaN 功率器件的成長力道最為明顯，預估其今年市場規模將達 6,100 萬美元，年增率高達 90.6%。
TrendForce 進一步指出，首先，預期疫苗問世後疫情有所趨緩，進而帶動工業能源轉換所需零元件如逆變器、變頻器等，以及通訊基站需求回穩；其次，隨著特斯拉 Model 3 電動車逆變器逐漸改採 SiC 器件製程後，第三代半導體於車用市場逐漸備受重視；最後，中國政府為提升半導體自主化，今年提出十四五計劃投入鉅額資金擴大產能，上述都將成為推升 2021 年 GaN 及 SiC 等第三代半導體高速成長的動能。
據 TrendForce 調查，GaN 器件目前雖有部分晶圓製造代工廠如臺積電、世界先進等嘗試匯入 8 英寸晶圓生產，但現行主力仍以 6 英寸為主。因疫情趨緩所帶動 5G 基站射頻前端、手機充電器及車用能源傳輸等需求逐步提升，預期 2021 年通訊及功率器件營收分別為 6.8 億和 6,100 萬美元，年增 30.8% 及 90.6%。
TrendForce 預期，GaN 器件會持續滲透至手機與筆記本配件，且年增率將在 2022 年達到最高峰，後續隨著廠商採用逐漸普及，成長動能將略為趨緩。
SiC 器件部分，由於通訊及功率領域皆需使用該襯底，因而 6 英寸晶圓的供應量顯得吃緊，預估 2021 年 SiC 器件於功率領域營收可達 6.8 億美元，年增 32%。目前各大襯底商如科銳（CREE）、貳陸（II-VI）、意法半導體等已陸續開展 8 英寸襯底研製計劃，但仍有待 2022 年後才有望逐漸紓緩供給困境。