海思HI3751 Android 待機開發指南

   待機開發指南
STR主要依賴 DDR 不掉電，可以儲存待機前資料，來迅速喚醒恢復；又在待機時將DDR 置於自重新整理模式將整機維持在功耗較低的狀態。 DDR 的重新整理操作分為兩種，自動刷（Auto Refresh，簡稱 AR）與自重新整理（Self Refresh，簡稱 SR）。自重新整理主要用於休眠模式低功耗狀態下的資料儲存，當 DDR 進入自重新整理狀態，可以用極低的功耗將資料保持。 
在自重新整理方式下，DDR 禁止時鐘使能  CKE 之外的所有的內部時鐘和輸入緩衝。重新整理地址和重新整理時間全部由器件內部產生，以此來降低功耗。一旦進入自重新整理方式有透過 CKE 變低才能啟用，其他的任何輸入都將不起作用，也即自重新整理狀態下，DDR只能維持資料不丟失，但不支援讀寫操作。 
DDR 自重新整理待機需要 支援 Suspend to RAM 功能，在這種模式下，作業系統會將所有 態程式凍結，各個驅動 在待機前將資訊儲存在記憶體中並關閉模組功能，最後 CPU 會將上下文（CPU 自身的暫存器）儲存在記憶體中並啟動  ，整個系統進入到低功耗狀態。 
在收到喚醒指令後，MCU 會將 CPU 啟動並恢復上下文，隨後各個驅動模組和使用者態程式還原到待機前的狀態，整個系統完成待機喚醒。 

資料儲存的示意圖如圖 1-1 所示，待機喚醒的詳細流程，見第 1.4 詳細流程節。

優缺點

和傳統的下電待機相比，STR 的優缺點表現如表 1-1 所示。 
表1-1 待機優缺點比較

真待機概念
真待機也被稱為下電待機，當使用者發出待機指令後，系統進入真待機流程，CPU、DDR 等下電，只保持 MCU 執行等待使用者喚醒指令，系統進入最低功耗狀態。當使用者傳送喚醒指令（遙控器、按鍵板等喚醒）後，CPU 重新上電啟動（相當於冷啟動），恢復到正常系統使用者介面

真待機原理
真待機時，硬體系統常電區和掉電區如圖 2-1 所示