如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

採用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗，如果要寫13Kbps的資料到DRAM裡需要花1秒時間，大約要用2200uA的功耗去做寫的功能，但如果用FRAM來做只要10ms、9uA就可以把資料寫完。透過比較可以看到，如果要寫很多資料到Flash等傳統儲存器裡，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。
 
從擦寫資料次數來看，一般儲存器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10次方後仍可繼續進行擦寫操作。由於 速度和SDRAM寫的速度差不多相同，在整個MCU架構裡，TI做了整體化的類選，就是說放16個FRAM在1個MCU裡，這時候FRAM可以當SDRAM使用，也可以充當Flash以及EEPROM去使用,這樣整體儲存器用起來效率更高，使用更方便，這是一個全新的MCU儲存技術。
 
在應用層上FRAM適用於什麼地方呢?應用在感測器上FRAM的優勢可明顯體現出來，FRAM可快速將感測器得到的資料記錄下來，如果用Flash來做就會資料寫的時間很長，感測器資料讀完後再寫，反覆間斷性讀寫動作使每個資料點都是分開的，無法做到資料讀寫的連續性。在射頻的應用上，Flash因速度的限制會使功耗上升的很高。如果用FRAM讀取與傳輸都是在同步高速進行，節省時間的同時也讓功耗大幅降低。
 
如在感測器資料記錄上，其它儲存介質由於功耗的原因而對感測器的安放地點要有所限制，增加了維護成本。而採用FRAM的 透過能量收集技術，使得能在更多的位置安放更多的感測器。
 
由於目前MCU儲存介質大都採用Flash，所以FRAM針對 的優勢自然被TI視為第一比較物件。如有限的資料更新/寫入速度與連續且可靠的監視、儲存和RF傳輸;選擇性監視與連續監視;消耗長達1個月的電池壽命與耗用不到6小時的電池壽命:資料塊級擦除及程式設計與位級存取;需要冗餘(映象）儲存塊與可在電源丟失的情況下保證寫入操作等。