LLC效率比較高的原因有如下6條
1、LLC的MOS管可以實現ZVS(零電壓開通)
2、LLC的MOS管屬於非峰值電流關斷(跟硬開關相比降低了關斷損耗)
3、LLC的漏感能量不會被消耗掉
4、LLC的MOS管中每個週期Cds電容儲存的能量不會被消耗
5、LLC的整流二極體ZCS關斷(斷續模式下)
6、LLC佔空比始終較大,所有有效值電流較小,而內阻三產生的損耗是,有效值電流的平方×內阻,所以降低了內阻損耗,包括MOS管和變壓器繞組的內阻損耗
LLC效率比較高的原因有如下6條
1、LLC的MOS管可以實現ZVS(零電壓開通)
2、LLC的MOS管屬於非峰值電流關斷(跟硬開關相比降低了關斷損耗)
3、LLC的漏感能量不會被消耗掉
4、LLC的MOS管中每個週期Cds電容儲存的能量不會被消耗
5、LLC的整流二極體ZCS關斷(斷續模式下)
6、LLC佔空比始終較大,所有有效值電流較小,而內阻三產生的損耗是,有效值電流的平方×內阻,所以降低了內阻損耗,包括MOS管和變壓器繞組的內阻損耗