動態CMOS（Dynamic CMOS）電路沒有上拉延時的原因在於其獨特的工作方式。動態CMOS電路利用了電容的儲存特性來保持訊號狀態，而不是像靜態CMOS那樣依賴於PMOS和NMOS的互補配置來維持邏輯狀態。
動態CMOS電路的特點
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預充電和評估階段：
- 預充電階段：在時鐘訊號的某一相位，電路的節點會被預充電到高電平（Vdd）。這一過程通常透過一個PMOS電晶體來完成，該電晶體在預充電階段導通，將節點拉高。
- 評估階段：在時鐘訊號的另一相位，預充電PMOS電晶體斷開，同時NMOS網路根據輸入訊號的組合來決定是否將預充電節點放電。如果NMOS網路導通，節點電壓被拉低到地（GND）；否則，節點保持高電平。
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高效性和速度：
- 無持續電流：與靜態CMOS不同，動態CMOS電路在穩態下沒有靜態電流流動，因為在評估階段只有NMOS網路導通時才會有瞬時電流。
- 高速度：由於沒有持續的上拉過程（由PMOS進行），動態CMOS電路在邏輯轉換時能夠更快地評估輸出，這使其在高效能應用中具有優勢。
為什麼沒有上拉延時
動態CMOS電路沒有上拉延時的主要原因是：
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預充電機制：預充電階段已經將節點電壓拉高，因此在評估階段，不需要再透過PMOS電晶體進行上拉。所有的邏輯判斷和輸出電平變化都在評估階段完成，這避免了傳統CMOS電路中PMOS上拉的延時。
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單方向電流路徑：在評估階段，電流路徑單一（透過NMOS網路），而不是像靜態CMOS那樣需要考慮PMOS和NMOS的互補工作。這減少了訊號延時，提高了速度。
總結來說，動態CMOS電路透過預充電階段和評估階段的獨立工作方式，消除了傳統靜態CMOS電路中的上拉延時，提升了電路的速度和效率。因此，動態CMOS在某些高速和低功耗應用中具有顯著優勢。