HP Z系列工作站記憶體的使用

一、記憶體基本知識：
1、DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM）簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本，DDR在時鐘訊號上升沿與下降沿各傳輸一次資料，這使得DDR的資料傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。
2、RDIMM即Registered DIMM，表示控制器輸出的地址和控制訊號經過Reg寄存後輸出到DRAM晶片，控制器輸出的時鐘訊號經過PLL後到達各DRAM晶片 UDIMM即Unbuffered DIMM，表示控制器輸出的地址和控制訊號直接到達DIMM上的DRAM晶片。
3、第一，二，三代DDR（Double Data Rate）記憶體則採用資料讀寫速率作為命名標準，並且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。DDR一代記憶體，也就是DDR，為雙倍併發，也就是常說的2倍速記憶體；而DDR2為四倍併發，也就是常說的4倍速記憶體；而DDR3為八倍併發，也就是常說的8倍速記憶體。ddr2記憶體傳輸頻寬：4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/sec;PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓，從DDR2的1.8V降落到1.5V，效能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。
4、CL延遲：CL是CAS Latency的縮寫，指的是記憶體存取資料所需的延遲時間，用4個連著的阿拉伯數字來表示一個記憶體延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數字最為重要，它表示的是CAS Latency，也就是記憶體存取資料所需的延遲時間。第二個數字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數字分別表示的是RAS預充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數字一般而言是它們中間最大的一個。
5、規格

7、 記憶體模式：通道交織， DDR3控制器有兩種對映模式：非交織對映和交織對映(interlave). 交織對映，即雙通道記憶體技術，當訪問在控制器A上進行時，控制器B為下一次訪問做準備，資料訪問在兩個控制器上交替進行，從而提高DDR吞吐率。支援128byte,256byte,512byte的交織模式。如果要使用交織模式，要保證有兩個記憶體控制器以及兩個記憶體控制器有對稱的實體記憶體(即兩塊記憶體大小一致；在各自的控制器上的地址對映一致)
8、memory 1RX4則表示1個64bit(CPU資料匯流排的位寬,現在一般是64bit, 這個位寬就稱之為物理Bank), X4則表示memory每顆 記憶體顆 粒 記憶體顆粒 就是:64*2/8=16顆.2RX4就是64*2/4=8顆

所以無論是1RX4，2Rx4或者1RX8，2Rx8，代表的含義可以理解為memory的記憶體顆粒的個數 ， 而不是單面或者是雙面記憶體 。

9、 記憶體的工作電壓

DDR2 記憶體的工作電壓一般在1.8V左右。 DDR3 記憶體標準電壓是1.5V。

DDR3 的工作電壓時1.5V，DDR3L低電壓記憶體條的工作電壓時1.35V。

DDR4代 記憶體一般工作電源是1.2V左右

例：
DDR二代記憶體：
——PC2-6400U-666-12：PC2-6400U表示DDR2記憶體， U指低壓版( 低壓版和平常的是不能通用? U: Unbuffered DIMM 桌上型電腦記憶體，其實，絕大多數記憶體廠家並不使用U這個字母，預設的就是U，即普通桌上型電腦記憶體。)，頻率4X200=800MHz(核心頻率200MHz)，666-12表示在這個頻率下的時序是6-6-6。
DDR三代記憶體：

——三星8GB 2Rx4 PC3L-10600R-09-10-E1-D2（hp PN:647650-071）:雙列4位(兩面相同，每一面16個儲存晶片，中間多的2個同型號 儲存晶片用於暫存器，還有1個ECC晶片)三代 1333赫茲（10600/8） REG伺服器記憶體， 的 C L —— 8GB 1Rx4 PC3L-12800R-11-13-C2(HP PN:731656-081): 每一面9個儲存晶片，兩面各有1個同型號 儲存晶片用於暫存器，只有一面有1個ECC晶片： ECC REG記憶體，DDR3 1600 （12800/8 ）的讀寫頻寬，11-13-C2是延遲引數，L=執行電壓從標準版DDR3的1.5V進一步降低到了1.35V。 Z420可用。

二、HP工作站記憶體使用要求：

— HP Z 系列工作站僅支援 ECC DIMM 記憶體。

— 請勿將非緩衝 DIMM 記憶體與寄存 DIMM 記憶體混用。 否則，系統將無法引導併產生記憶體錯誤。

— 為了最大限度提高效能，請為每個 CPU 安裝相同數量的 DIMM。 如果工作站具有兩個CPU，請成對安裝相同容量的記憶體。

1、HP Z400 工作站
— 僅支援無緩衝的 DDR3 DIMM
— 單條最大4GB
—支援的記憶體速度：800 MHz、1066 MHz 和 1333 MHz DDR3 無緩衝（PC3-10600 DDR3-1333 MHz  ECC Unbuffered DIMM）

— 已用：4GB 2Rx8 PC3L-10600E-9-12-E3 （非 REG記憶體 ）; 2GB 1Rx8 PC3-12800E-11-12-D3 （非 REG記憶體 ）

2、HP Z420 工作站
—8個DIMM插槽與4通道記憶體架構（每個CPU最多支援4通道），提供最高64GB的 ECC非緩衝DDR3 1600MHz記憶體， 單條最大8GB。支援速率：1066-MHz, 1333-MHz, and 1600-MHz DDR3
—Z420使用ECC Unbuffered 記憶體，另外，如果新增的記憶體型別沒有問題但還是不能正常識別，還需要檢視記憶體的插入順序，需要先插黑色插槽，插滿後再插入白色的插槽， 離cpu遠的黑色插槽需要先插入 。
— Z420 工作站沒有測試過REG記憶體， 都是普通的ECC記憶體， 上單條8G是沒問題的，如果您 想使用REG記憶體只能自行測試一下，REG和普通ECC記憶體不能混插，如果要用REG請都用REG記憶體。 相比ECC記憶體， REG價位更高，穩定性相對更好一些 。
— 已用：8GB 1Rx4 PC3L-12800R-11-13-C2( REG記憶體); 2GB 1Rx8 PC3-12800E-11-12-D3（非 REG記憶體）

3、HP Z640工作站
—記憶體型別：DDR4-2133 RegRAM ECC

—僅支援寄存式和低負載 DDR4 DIMM， 不支援 DDR3 DIMM
—最大支援128 GB DDR4-2400 ECC Registered RAM 、256 GB DDR4-2400 ECC Load-reduced RAM， 單條最大16GB(  ECC 寄存型)32GB( ECC 減負型 LR)

4、hp xw4600按照前蓋說明，只適用： unbuffered PC2-5300 E或者PC2-6400 E記憶體，E指 ： ECC。

——假如使用 PC2-6400 U（ U指低壓版1.8V---1.5v? U: Unbuffered  DIMM ），偶爾機器能起來，但是大多數記憶體聲音報警

——開機提示parity check 2

解決：重新啟動機器在機器開機出現HP標誌的時候按F10進入BIOS 進入BIOS後建議您選擇Advanced-Bus Options然後將PCI SERR# Generation設定為disable然後儲存退出即OK。