SRAM 訪問只提高了 1.3 - 2.4 倍,部分原因是 SRAM 的密度擴充套件速度比之前慢。65 nm 與 7 nm 相比, SRAM 每平方毫米的容量密度僅約為理想擴充套件的 1/5;
得益於封裝的革新,DRAM 訪問量提高了 6.3 倍。HBM 將短 DRAM dies 棧放置在寬匯流排上靠近 DSA 的位置;
但每單位長度線路的功耗提高不到 2 倍(表 2 未顯示這一點)。較差的線路延遲縮放導致 TPUv2/v3 相比於 TPUv1,從使用 1 個較大核變為使用 2 個較小核。
谷歌長文總結四代TPU打造經驗:里程碑式的TPUv4是怎樣煉成的?
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