英特爾
鳳凰科技訊 北京時間7月29日訊息，據《華爾街日報》網路版報導，英特爾和美光科技在週二宣佈，他們已開發出了一種新型儲存晶片，能夠大幅提升計算機、智慧機以及其它型別高科技產品的效能。
英特爾和美光稱，他們計劃在明年開始銷售這種晶片。該晶片的處理速度最高可達到當前多數移動裝置所用NAND快閃記憶體晶片的1000倍，可儲存的資料容量是主流DRAM記憶體晶片的10倍。
這項技術名為3D Xpoint，雖然處理速度上還無法十分接近DRAM晶片，但是像NAND快閃記憶體晶片一樣，即便在斷電後它仍可以儲存資料。英特爾和美光並未披露太多關於3D Xpoint的技術細節，包括他們使用的關鍵材料，但表示使用了一種獨特方式來儲存資料。
英特爾和美光高管預計，新晶片的速度將催生新型應用，令業界受益匪淺，特別是那些功能模式建立在大量資料基礎之上的應用，比如語音識別、金融詐騙偵測以及基因組學。
“這確實是一項革命性技術，”美光CEO馬克·德肯(Mark Durcan)週二在技術釋出活動上表示。英特爾高階副總裁鮑勃·克魯克(Rob Crooke)稱：“這是一項很多人認為不可能實現的技術。”
但是這項新技術的重要性和獨創性可能保守爭議。近幾年來，很多其他公司都已經宣佈在儲存晶片開發上取得了重要進展。創業公司Crossbar戰略營銷和商業開發副總裁薩爾文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示，英特爾和美光似乎仿效了其電阻式RAM技術的元素。“這聽起來非常像我們已擁有的技術，”杜波斯稱。
Everspin Technologies等其他公司也相信，他們在為穩定資料儲存晶片提供DRAM級速度上已搶佔先機。
英特爾和美光計劃初期生產能夠儲存128Gb資料的雙層晶片(two-layer chip)，這一儲存容量和現有的部分NAND晶片相當。隨著在晶片中堆疊更多電路，英特爾和美光計劃在日後提升晶片的儲存容量。
參加該技術釋出活動的分析師週二表示，硬體設計商需要時間來決定如何或是否使用這項技術。英特爾和美光稱，現有技術為產品提供的速度提升遠小於新型晶片。(編譯/簫雨)