1、NXH010P120M3F1PTG是一款功率模組，在F1封裝中包含10 mohm / 1200 V SiC MOSFET半橋和一個氧化鋁(AL2O3) DBC熱敏電阻。SiC MOSFET開關採用M3S技術，由18V-20V柵極驅動。
規格：
配置：Half-Bridge
下降時間：15 ns
高度：12.35 mm
Id-連續漏極電流：105 A
長度：63.3 mm
最大工作溫度：+ 150°C
最小工作溫度：- 40°C
安裝風格：Chassis
通道數量：2 Channel
封裝 / 箱體：PIM-18
封裝：Tray
Pd-功率耗散：272 W
產品：SiC MOSFET Modules
產品型別：MOSFET Modules
Rds On-漏源導通電阻：14.5 mOhms
上升時間：15 ns
系列：NXH010P120M3F1PTG
工廠包裝數量：28
子類別：Discrete and Power Modules
技術：SiC
電晶體極性：N-Channel
型別：Power Module
典型關閉延遲時間：98 ns
典型接通延遲時間：23 ns
Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.4 V
寬度：34.1 mm
2、NVXK2PR80WXT2是一款1200V 80mΩ 31A全橋電源模組，帶溫度感測和最低熱阻，適用於DC-DC和xEV車載充電器。
規格
配置：Full-Bridge
下降時間：9 ns
高度：5.8 mm
Id-連續漏極電流：31 A
長度：44.2 mm
最大工作溫度：+ 175°C
最小工作溫度：- 55°C
安裝風格：Through Hole
通道數量：4 Channel
封裝 / 箱體：APM-32
封裝：Tube
Pd-功率耗散：208 W
產品：SiC Power Modules
產品型別：MOSFET Modules
Rds On-漏源導通電阻：116 mOhms
上升時間：12 ns
系列：NVXK2PR80WXT2
工廠包裝數量：60
子類別：Discrete and Power Modules
技術：SiC
電晶體極性：N-Channel
型別：Power Module
典型關閉延遲時間：21 ns
典型接通延遲時間：12 ns
Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓：- 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.3 V
寬度：29 mm
3、NVXK2VR80WDT2是一款1200V 80mΩ 20A 三相橋式電源模組，帶PFC溫度檢測，適用於車載充電器。
規格：
配置：3-Phase Bridge
下降時間：9 ns
高度：5.8 mm
Id-連續漏極電流：20 A
長度：44.2 mm
最大工作溫度：+ 175 C
最小工作溫度：- 55 C
安裝風格：Through Hole
通道數量：6 Channel
封裝 / 箱體：APM-32
封裝：Tube
Pd-功率耗散：82 W
產品：SiC Power Modules
產品型別：MOSFET Modules
Rds On-漏源導通電阻：116 mOhms
上升時間：12 ns
系列：NVXK2VR80WDT2
工廠包裝數量：60
子類別：Discrete and Power Modules
技術：SiC
電晶體極性：N-Channel
型別：Power Module
典型關閉延遲時間：21 ns
典型接通延遲時間：12 ns
Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓：- 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.3 V
寬度：29 mm
1200 V 碳化矽的功率模組NXH010P120M3F1PTG NVXK2PR80WXT2 NVXK2VR80WDT2—— 明佳達
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