據拓墣產業研究院最新報告指出,受到高運算量終端裝置以及資料中心需求的帶動,2017年全球晶圓代工總產值約573億美元,較2016年成長7.1%,全球晶圓代工產值連續五年年成長率高於5%。其中,中芯國際以30.99億美元營收,年增6.3%位列純晶圓代工廠商第四位(三星為IDM廠商)。

觀察2017年全球前十大晶圓代工廠商排名,整體排名與2016年相同,臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯電分居前三,其中臺積電產能規模龐大加上高於全球平均水平的年成長率,市佔率達55.9%,持續拉大與競爭者的距離;全球排名第二的格羅方德受惠於新產能的開出與產能利用率提升,2017年營收呈現年增8.2%的相對高成長表現。

​聯電今年量產14nm,但僅佔全年營收的約1%,然在整體產能提升與產品組合轉換帶動下,實際營收年成長率達6.8%,位列晶圓代工市場第三位;而與臺積電同為10nm製程技術先驅的三星(Samsung),則因採用的大客戶僅有高通(Qualcomm),致使成長受限,排名第四;排名第五的中芯雖然持續擴大資本支出,然而,受限於2017年實際開出的產能有限與28nm良率的瓶頸未突破,使得成長率低於全球市場平均。

TowerJazz及華虹巨集力則透過產能擴增,在市場對8吋廠需求持續暢旺下,帶來大於10%的年成長;力晶則因調升代工業務比重,交出高成長率成績單。

從應用領域來看,拓墣產業研究院指出,高運算量相關應用持續帶動半導體產業對先進製程的需求,2017年10nm製程節點開始放量,估計2017年全年10nm節點營收將佔晶圓代工整體市場的6.5%。而2017年半導體整體產值年成長率7.1%當中,超過95%的成長動能來自10nm的銷售貢獻,顯示10nm製程的開出成為2017年晶圓代工產值成長最重要的引擎。

另一方面,在5G與電動車的需求驅使下,可觀察到晶圓代工廠商積極投入第三代半導體材料GaN及SiC的開發,如臺積電提供GaN的代工服務及X-Fab公佈SiC晶圓代工業務將於2017第四季貢獻營收。

展望2018年,拓墣產業研究院認為,除7nm先進製程節點將帶動整體產值之外,在2018年為5G試營運重要的觀察年下,第三代半導體的代工服務所帶來的產業生態鏈變化,同為市場值得關注的重點。