說到半導體儲存晶片，全球 NAND 快閃記憶體的出貨量僅次於 DRAM 記憶體，而且因為移動裝置時代的到來，NAND 的全球出貨量開始變得越來越誇張。不過，儘管該技術由日本東芝在八十年代末開始引入，目前正大放異彩，但是韓國三星正推陳出新，以自家的標準來征服 NAND 的出貨量市場。
根據集邦 TrendForce 旗下儲存業務研究部門 DRAMeXchange 的最新統計數字顯示，2015 年第四季度（10 月至 12 月）三星在半導體儲存晶片設計的表現相當可喜可賀。三星以 33.6% 的市場份額成為世界上規模最大的 NAND 儲存供應商。而排在第二名的的是東芝，所佔市場份額為 18.6%。
很顯然，三星的目前的 NAND 儲存晶片設計份額很快相當於東芝的兩倍，最主要的原因在於三星正不斷壯大。有關 2015 年第三季度 DRAMeXchange 資料顯示，三星與東芝之間的差距才 10 個百分點左右，其中三星在全球 NAND 市場 的份額為 31.5%，東芝為 20.5%，如今東芝份額縮減反而三星上市，說明差距爭議迅猛的速度擴大。
不過，由於移動市場逐漸趨於飽和，整體 NAND 快閃記憶體市場全線出現季度性的下滑，但三星的 NAND 業務始終能夠成功在智慧手機領域保持盈利，令業界相當刮目相看，因為只有為數不多的廠商實現增長。據資料，三星 2015 年第四季度營收環比增長了 4.2%， 除此之外僅閃迪增長了 0.1%，其餘營收均出現負增長。
NAND 市場整體營收環比衰退了 2.3%，東芝跌幅最大，達到 11.3%，其實是下滑 9.3% 的 SK 海力士。不出意外的話，隨著全新智慧手機 Galaxy S7 和 S7 Edge 陸續出貨上市，三星的 NAND 刪除業務仍會持續走強。
目前三星正力推最新基於 UFS 應用介面標準規格的 NAND 嵌入式快閃記憶體儲存，最近剛剛釋出了第二版 UFS 2.0 嵌入式快閃記憶體。根據三星的解釋，新 UFS 快閃記憶體儲存的容量提升了一倍達到 256GB，並且體積更小，比傳統 NAND 快閃記憶體節省了約 50% 的儲存空間，三星表示其比外部 micro SD 卡更小。
更重要的是，得益於常用語 SSD 儲存的“命令佇列(Command Queue)”技術，即通過序列介面技術加速命令執行，其資料處理速度大幅提升，第二版的 UFS 2.0 快閃記憶體的持續讀取速度已經提升到了驚人的 850MB/s，這方面已經完全超越了傳統 SATA 介面的固態硬碟。
另外在寫入速度方面，三星第二版 UFS 2.0 256GB 快閃記憶體的持續寫入速度也達到了 260MB/S，這個速度相當於普通外接 microSD 卡大約三倍，同時隨機讀取和寫入讀/寫操作 IOPS 上升到了 45000 和 40000。
三星表示，目前眾多製造商的智慧手機和平板電腦產品都已經採用了基於 USB 3.0 介面標準來設計，若搭配第二版 UFS 2.0 快閃記憶體的話，可以在 12 秒鐘內完成一部 5GB 容量大小的視訊，未來在移動裝置上輕鬆觀看真 4K Ultra HD 超高清電視和視訊不是問題，而且還可以同時處理其他多工。
自 威鋒網