常見的共面阻抗計算模型

metersun發表於2014-08-14
模型
所謂的“共面”，即阻抗線和參考層在同一平面，即阻抗線被VCC/GND所包圍，
周圍的VCC/GND即為參考層。
相較於單端和差分阻抗模型，共面阻抗模型多了一個引數D1，即阻抗線和參
考層VCC/GND之間的間距。
在Palor Si9000中，下面紅色標註的工具欄圖示為coplanar模型組:

針對共面模型，下面只選幾種典型模型來進行說明，更詳細全面的內容
請參考同組筆記本下的"常見的阻抗模型---整理版"。

另外注意，此組模型都是wavegide模式。

1.  Surface coplanar waveguide 1B

適用範圍:
外層蝕刻後單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，
周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2)
為線路層，而非VCC/GND參考層。
引數說明:
H1:外層到次外層之間的介質厚度
W2:阻抗線上線寬
W1:阻抗線下線寬
D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距
T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚
Er1:介質層介電常數

2.Coated coplanar waveguide  1B
適用範圍:
阻焊後單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，
周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2)
為線路層，而非VCC/GND參考層。
引數說明:
H1:外層到次外層之間的介質厚度
W2:阻抗線上線寬
W1:阻抗線下線寬
D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距
T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚
Er1:介質層介電常數
CEr1:阻焊介電常數
C1:基材阻焊厚度
C2:線面阻焊厚度(後加工)
3.Surface coplanar waveguide with ground 1B

適用範圍:
外層蝕刻後單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND
和次外層VCC/GND。
引數說明:
H1:外層到次外層VCC/GND之間的介質厚度
W2:阻抗線上線寬
W1:阻抗線下線寬
D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距
T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚
Er1:介質層介電常數

4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A 

適用範圍:
        內層單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，
周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2)
為線路層，而非VCC/GND參考層。
引數說明:
H1:阻抗線路層到下一層之間的介質厚度
H2:阻抗線路層到上一層之間的介質厚度
W2:阻抗線上線寬
W1:阻抗線下線寬
D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距
T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚
Er1:H1對應介質層介電常數
Er2:H2對應介質層介電常數

5.Embedded coplanar waveguide with ground 1B1A


適用範圍:
        內層單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND
        和次外層VCC/GND。
引數說明:
H1:阻抗線路層到臨近VCC/GND之間的介質厚度
H2:阻抗線路層到上一層之間的介質厚度
W2:阻抗線上線寬
W1:阻抗線下線寬
D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距
T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚
Er1:H1對應介質層介電常數
Er2:H2對應介質層介電常數

6. Offset coplanar waveguide 1B1A


適用範圍:
        內層單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND
        和及與其臨近的兩個VCC/GND層。
引數說明:
H1:阻抗線路層到臨近VCC/GND之間的介質厚度
H2:阻抗線路層到較遠VCC/GND之間的介質厚度
W2:阻抗線上線寬
W1:阻抗線下線寬
D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距
T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚
Er1:H1對應介質層介電常數
Er2:H2對應介質層介電常數

6-14. 為差分形式的共面阻抗，可結合“常見的差分(動)阻抗計算模型”
進行推演，更具體的內容此處略。


 

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